WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2017006711) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/006711    国際出願番号:    PCT/JP2016/067595
国際公開日: 12.01.2017 国際出願日: 13.06.2016
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: NAITO Tatsuya; (JP)
代理人: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2015-136177 07.07.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention improves reliability of an insulating film on an inner wall of a trench. Provided is a semiconductor device that is equipped with: a semiconductor substrate; a dummy trench section formed on the front surface of the semiconductor substrate; and a first front surface-side electrode, which is formed above the front surface of the semiconductor substrate, and which contains a metal. The dummy trench section has: a dummy trench formed in the front surface of the semiconductor substrate; an insulating film formed on the inner wall of the dummy trench; a dummy conductive section formed on the side further toward the inside than the insulating film, said dummy conductive section being formed in the dummy trench; and a protection section, which has an opening from which at least a part of the dummy conductive section is exposed, and which covers the insulating film on the front surface of the semiconductor substrate. The first front surface-side electrode has a portion formed in the opening of the protection section, said first front surface-side electrode being in contact with the dummy conductive section.
(FR)La présente invention améliore la fiabilité d'un film isolant sur une paroi intérieure d'une tranchée. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est équipé : d'un substrat semi-conducteur ; d'une section de tranchée factice formée sur la surface avant du substrat semi-conducteur ; et d'une première électrode côté surface avant, qui est formée au-dessus de la surface avant du substrat semi-conducteur, et qui contient un métal. La section de tranchée factice comprend : une tranchée factice formée dans la surface avant du substrat semi-conducteur ; un film isolant formé sur la paroi intérieure de la tranchée factice ; une section conductrice factice formée du côté davantage vers l'intérieur que le film isolant, ladite section conductrice factice étant formée dans la tranchée factice ; et une section de protection, qui comporte une ouverture par laquelle au moins une partie de la section conductrice factice est apparente, et qui couvre le film isolant sur la surface avant du substrat semi-conducteur. La première électrode côté surface avant comporte une partie formée dans l'ouverture de la section de protection, ladite première électrode côté surface avant étant en contact avec la section conductrice factice.
(JA)トレンチの内壁の絶縁膜の信頼性を向上させる。半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第1表面側電極とを備え、ダミートレンチ部は、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチと、ダミートレンチの内壁に形成された絶縁膜と、ダミートレンチの内部において絶縁膜よりも内側に形成されたダミー導電部と、ダミー導電部の少なくとも一部を露出させる開口を有し、且つ、半導体基板の表面において絶縁膜を覆う保護部とを有し、第1表面側電極は、保護部の開口内に形成された部分を有し、ダミー導電部と接触する半導体装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)