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1. (WO2017006594) 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2017/006594 国際出願番号: PCT/JP2016/059707
国際公開日: 12.01.2017 国際出願日: 25.03.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: NISHIGUCHI, Taro; JP
HIYOSHI, Toru; JP
代理人: NAKATA, Motomi; JP
優先権情報:
2015-13688908.07.2015JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) This silicon carbide semiconductor substrate is provided with: a silicon carbide substrate having a main surface; a first silicon carbide semiconductor layer disposed on the main surface; a second silicon carbide semiconductor layer disposed on the first silicon carbide semiconductor layer; and a third silicon carbide semiconductor layer directly disposed on the second silicon carbide semiconductor layer. The first silicon carbide semiconductor layer contains an n-type impurity at a first concentration. The second silicon carbide semiconductor layer contains an n-type impurity at a second concentration. The third silicon carbide semiconductor layer contains an n-type impurity at a third concentration. The first concentration is higher than the second concentration. The third concentration is higher than the second concentration.
(FR) Le substrat semi-conducteur au carbure de silicium comprend : un substrat au carbure de silicium présentant une surface principale ; une première couche semi-conductrice au carbure de silicium, disposée sur la surface principale ; une deuxième couche semi-conductrice au carbure de silicium disposée sur la première couche semi-conductrice au carbure de silicium ; et une troisième couche semi-conductrice au carbure de silicium disposée directement sur la deuxième couche semi-conductrice au carbure de silicium. La première couche semi-conductrice au carbure de silicium contient une impureté de type n ayant une première concentration. La deuxième couche semi-conductrice au carbure de silicium contient une impureté de type n ayant une deuxième concentration. La troisième couche semi-conductrice au carbure de silicium contient une impureté de type n ayant une troisième concentration. La première concentration est supérieure à la deuxième concentration. La troisième concentration est supérieure à la deuxième concentration.
(JA) 炭化珪素半導体基板は、主面を有する炭化珪素基板と、主面上に配置された第1の炭化珪素半導体層と、第1の炭化珪素半導体層上に配置された第2の炭化珪素半導体層と、第2の炭化珪素半導体層上に直接配置された第3の炭化珪素半導体層と、を備える。第1の炭化珪素半導体層は第1の濃度のn型不純物を含む。第2の炭化珪素半導体層は第2の濃度のn型不純物を含む。第3の炭化珪素半導体層は第3の濃度のn型不純物を含む。第1の濃度は、第2の濃度より高い。第3の濃度は、第2の濃度より高い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)