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1. (WO2017006594) 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/006594    International Application No.:    PCT/JP2016/059707
Publication Date: Fri Jan 13 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Mar 26 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/20
H01L 21/265
H01L 21/336
H01L 29/12
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: NISHIGUCHI, Taro
西口 太郎
HIYOSHI, Toru
日吉 透
Title: 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract:
炭化珪素半導体基板は、主面を有する炭化珪素基板と、主面上に配置された第1の炭化珪素半導体層と、第1の炭化珪素半導体層上に配置された第2の炭化珪素半導体層と、第2の炭化珪素半導体層上に直接配置された第3の炭化珪素半導体層と、を備える。第1の炭化珪素半導体層は第1の濃度のn型不純物を含む。第2の炭化珪素半導体層は第2の濃度のn型不純物を含む。第3の炭化珪素半導体層は第3の濃度のn型不純物を含む。第1の濃度は、第2の濃度より高い。第3の濃度は、第2の濃度より高い。