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1. (WO2017002859) ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/002859 国際出願番号: PCT/JP2016/069275
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 29.06.2016
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 290/14 (2006.01) ,C08G 73/10 (2006.01) ,G03F 7/027 (2006.01) ,G03F 7/037 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
290
脂肪族不飽和の末端基または側基の導入により変性された重合体に,単量体を重合させて得られる高分子化合物
08
不飽和側基の導入により変性された重合体への
14
サブクラスC08Gに分類される重合体
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73
グループ12/00~71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06
高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
027
炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
027
炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
032
結合剤をもつもの
037
結合剤がポリアミド又はポリイミドであるもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
岩井 悠 IWAI Yu; JP
小山 一郎 KOYAMA Ichiro; JP
川端 健志 KAWABATA Takeshi; JP
渋谷 明規 SHIBUYA Akinori; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2015-13210530.06.2015JP
発明の名称: (EN) NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, CURED FILM PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE NÉGATIVE, FILM DURCI, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DURCI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
要約:
(EN) A negative photosensitive resin composition with a wide exposure latitude, a cured film, a cured film production method and a semiconductor device are provided. This negative photosensitive resin composition includes: a polyimide precursor; a radical polymerization initiator; at least one type of first polymerization inhibitor selected from compounds having an aromatic hydroxyl group; and at least one type of second polymerization inhibitor selected from a nitroso compound, an N-oxide compound, a quinone compound, an N-oxyl compound and a phenothiazine compound.
(FR) L'invention concerne une composition de résine photosensible négative avec une grande latitude d'exposition, un film durci, un procédé de production de film durci, et un dispositif à semi-conducteur. Cette composition de résine photosensible négative comprend : un précurseur de polyimide; un initiateur de polymérisation radicalaire; au moins un type de premier inhibiteur de polymérisation choisi parmi des composés ayant un groupe hydroxyle aromatique; et au moins un type de second inhibiteur de polymérisation choisi parmi un composé nitroso, un composé N-oxyde, un composé de quinone, un composé N-oxyle et un composé de phénothiazine.
(JA) 露光ラチチュードが広いネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイスの提供。ポリイミド前駆体;ラジカル重合開始剤;芳香族性水酸基を有する化合物から選択される少なくとも1種の第1の重合禁止剤;並びに、ニトロソ化合物、N-オキシド化合物、キノン化合物、N-オキシル化合物およびフェノチアジン化合物から選択される少なくとも1種の第2の重合禁止剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)