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1. (WO2017002793) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2017/002793    International Application No.:    PCT/JP2016/069099
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Jun 29 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/52
H01L 21/60
H01L 23/12
H01L 25/07
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TATSUMI, Hiroaki
巽 裕章
KUMADA, Sho
熊田 翔
SUZUKI, Osamu
鈴木 修
KAWABATA, Daisuke
川端 大輔
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
半導体装置(1)は、平坦部と、凹部からなる非平坦部(6)とを有する電極(22)と、電極(22)の平坦部および非平坦部(6)上に設けられた金属結晶粒の焼結体からなる接合層(3)と、接合層(3)を介して電極(22)に接合された半導体素子(4)、(5)と、を備え、接合層(3)は、非平坦部(6)と半導体素子(4)、(5)とに挟まれた第1の領域(3a)と、平坦部と半導体素子(4)、(5)とに挟まれた第2の領域(3b)とを有し、第1の領域(3a)および第2の領域(3b)のうち層厚が大きい方の領域の金属結晶粒の充填率は、層厚が小さい方の領域の金属結晶粒の充填率より小さい。本発明により、金属結晶粒の焼結体による接合層の信頼性が良好になる。