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1. (WO2017002738) 強誘電体セラミックス及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/002738    国際出願番号:    PCT/JP2016/068935
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 20.06.2016
IPC:
H01L 41/43 (2013.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/316 (2013.01), H01L 41/317 (2013.01)
出願人: YOUTEC CO., LTD. [JP/JP]; 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156 (JP)
発明者: KIJIMA, Takeshi; (JP).
SHIGENAI, Takekazu; (JP)
代理人: YANASE, Mutsuyasu; Patent Attorneys Shinpo, 8th Floor, UK Building, 1-32-14, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 1690075 (JP)
優先権情報:
2015-129788 29.06.2015 JP
発明の名称: (EN) FERROELECTRIC CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CÉRAMIQUE FERROÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 強誘電体セラミックス及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The objective of the present invention is to improve piezoelectric characteristics. One embodiment of the present invention is a method for producing a ferroelectric ceramic, wherein: a first amorphous film is formed on a substrate; a Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 film 105 is formed on the substrate by crystallizing the first amorphous film by means of a heat treatment at a first temperature in an oxygen atmosphere; a second amorphous film is formed on the Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 film; and a Pb(Zr1-y-zTiyNbz)O3 film 107 is formed on the Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 film by crystallizing the second amorphous film by means of a heat treatment at a second temperature, which is higher than the first temperature, in an oxygen atmosphere; with x, y, and z satisfying formulae 1-3 and formula 11 below. 0.24 < x ≤ 0.45 formula 1 0.45 ≤ y < 0.76 formula 2 x + 0.05 < y formula 3 0 ≤ z ≤ 0.03 formula 11
(FR)L'objectif de la présente invention est d'améliorer des caractéristiques piézoélectriques. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'une céramique ferroélectrique, comprenant les étapes suivantes : un premier film amorphe est formé sur un substrat ; un film de Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 105 est formé sur le substrat par cristallisation du premier film amorphe au moyen d'un traitement thermique à une première température dans une atmosphère d'oxygène ; un second film amorphe est formé sur le film de Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 ; et un film de Pb(Zr1-y-zTiyNbz)O3 107 est formé sur le film de Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3 par cristallisation du second film amorphe au moyen d'un traitement thermique à une seconde température, qui est supérieure à la première température, dans une atmosphère d'oxygène ; x, y, et z satisfaisant les formules 1-3 et la formule 11 ci-dessous. 0,24 < x ≤ 0,45 (formule 1) ; 0,45 ≤ y < 0,76 (formule 2) ; x + 0,05 < y (formule 3) ; 0 ≤ z ≤ 0,03 (formule 11)
(JA)圧電特性を向上させることを課題とする。本発明の一態様は、基板上に第1のアモルファス膜を形成し、前記第1のアモルファス膜を酸素雰囲気で第1の温度で熱処理して結晶化することで、基板上にPb(Zr1−x−zTiNb)O膜105を形成し、前記Pb(Zr1−x−zTiNb)O膜上に第2のアモルファス膜を形成し、前記第2のアモルファス膜を酸素雰囲気で前記第1の温度より高い第2の温度で熱処理して結晶化することで、前記Pb(Zr1−x−zTiNb)O膜上にPb(Zr1−y−zTiNb)O膜107を形成し、x、y及びzは下記式1〜式3及び式11を満たす強誘電体セラミックスの製造方法である。 0.24<x≦0.45 ・・・式1 0.45≦y<0.76 ・・・式2 x+0.05<y ・・・式3 0≦z≦0.03 ・・・式11
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)