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1. (WO2017002564) 基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/002564 国際出願番号: PCT/JP2016/067108
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 08.06.2016
IPC:
C23C 14/02 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
02
被覆される材料の前処理
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
藤長 徹志 FUJINAGA, Tetsushi; JP
井堀 敦仁 IHORI, Atsuhito; JP
松本 昌弘 MATSUMOTO, Masahiro; JP
谷 典明 TANI, Noriaki; JP
岩井 治憲 IWAI, Harunori; JP
岩田 賢二 IWATA, Kenji; JP
佐藤 良直 SATO, Yoshinao; JP
代理人:
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
優先権情報:
2015-12970029.06.2015JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN) Provided is a substrate processing device comprising an anode unit (17) that includes a first plate (23) and a second plate (24). The first plate (23) includes a plurality of first through-holes (23a), and by causing a gas to flow through the first through-holes, causes the gas to diffuse in the direction of the surface of the first plate (23). The second plate (24) includes a plurality of second through-holes (24a) that are larger than the first through-holes (23a). The second plate (24) causes the gas that has passed through the first through-holes (23a) to flow between the second plate (24) and a cathode stage through the plurality of second through-holes (24a). The second through-holes (24a) have a shape such that the emission intensity of plasma inside each second through-hole can be made higher than the emission intensity of plasma generated between the second plate (24) and the cathode stage.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité d'anode (17) qui comprend une première plaque (23) et une deuxième plaque (24). La première plaque (23) comprend une pluralité de premiers trous traversants (23a), et en amenant un gaz à s'écouler à travers les premiers trous traversants, amène le gaz à diffuser dans la direction de la surface de la première plaque (23). La deuxième plaque (24) comprend une pluralité de deuxièmes trous traversants (24a) qui sont plus grands que les premiers trous traversants (23a). La deuxième plaque (24) amène le gaz qui a traversé les premiers trous traversants (23a) à s'écouler entre la deuxième plaque (24) et un étage de cathode à travers la pluralité de deuxièmes trous traversants (24a). Les deuxièmes trous traversants (24a) ont une forme telle que l'intensité d'émission de plasma à l'intérieur de chaque deuxième trou traversant puisse être rendue supérieure à l'intensité d'émission de plasma générée entre la deuxième plaque (24) et l’étage de cathode.
(JA) 基板処理装置は、第1プレート(23)と第2プレート(24)とを含むアノードユニット(17)を備える。第1プレート(23)は複数の第1貫通孔(23a)を含み、第1貫通孔を通じてガスを流すことによって、ガスを第1プレート(23)の面方向へ拡散させる。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)よりも大きい複数の第2貫通孔(24a)を含む。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)を通過したガスを、複数の第2貫通孔(24a)を通じて第2プレート(24)とカソードステージとの間に流す。第2貫通孔(24a)は、各第2貫通孔の内部におけるプラズマの発光強度が、第2プレート(24)とカソードステージとの間に生成されるプラズマの発光強度よりも高められる形状を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)