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1. (WO2017002497) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2017/002497    International Application No.:    PCT/JP2016/065798
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat May 28 01:59:59 CEST 2016
IPC: G03F 7/32
H01L 21/027
H01L 21/304
G03F 7/038
G03F 7/039
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: TSUBAKI Hideaki
椿 英明
TSUCHIHASHI Toru
土橋 徹
NIHASHI Wataru
二橋 亘
Title: パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
Abstract:
パターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を、Hansenの溶解性パラメータδpの値が2.9以上5以下の有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程と、上記現像されたレジスト膜を、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有する有機溶剤を含むリンス液を用いてリンスする工程と、をこの順で有する。電子デバイスの製造方法は、上記パターン形成方法を含む。