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1. (WO2017002497) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/002497    国際出願番号:    PCT/JP2016/065798
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 27.05.2016
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: TSUBAKI Hideaki; (JP).
TSUCHIHASHI Toru; (JP).
NIHASHI Wataru; (JP)
代理人: NAKASHIMA Junko; (JP)
優先権情報:
2015-132080 30.06.2015 JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)This pattern forming method comprises, in the following order: a resist film formation step for forming a resist film using an active light sensitive or radiation sensitive composition; an exposure step for exposing the resist film; a step for developing the exposed resist film using a developing solution containing an organic solvent having a Hansen solubility parameter δp value of 2.9-5 inclusive; and a step for rinsing the developed resist film using a rinsing solution containing an organic solvent having at least one of fluorine atoms and silicon atoms. This electronic device manufacturing method includes the pattern forming method.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de motif qui comprend, dans cet ordre : une étape de formation de film de réserve consistant à former un film de réserve à l'aide d'une composition sensible à une lumière active ou à un rayonnement ; une étape d'exposition consistant à exposer le film de réserve ; une étape consistant à développer le film de réserve exposé à l'aide d'un liquide de développement contenant un solvant organique présentant une valeur (δp) de paramètre de solubilité de Hansen comprise entre 2,9 et 5 ; et une étape consistant à rincer le film de réserve développé à l'aide d'un liquide de rinçage contenant un solvant organique contenant des atomes de fluor et/ou des atomes de silicium. Ce procédé de fabrication de dispositif électronique comprend le procédé de formation de motif.
(JA)パターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を、Hansenの溶解性パラメータδpの値が2.9以上5以下の有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程と、上記現像されたレジスト膜を、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含有する有機溶剤を含むリンス液を用いてリンスする工程と、をこの順で有する。電子デバイスの製造方法は、上記パターン形成方法を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)