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1. WO2017002433 - 研磨用濡れ剤及び研磨液組成物

公開番号 WO/2017/002433
公開日 05.01.2017
国際出願番号 PCT/JP2016/062425
国際出願日 19.04.2016
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 東亞合成株式会社 TOAGOSEI CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP]/[JP]
発明者
  • 竹本 貴之 TAKEMOTO Takayuki
  • 斎藤 直彦 SAITO Naohiko
  • 柴田 晃嗣 SHIBATA Akitsugu
  • 河合 道弘 KAAI Michihiro
代理人
  • 特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM
優先権情報
2015-13236701.07.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WETTING AGENT FOR POLISHING AND POLISHING LIQUID COMPOSITION
(FR) AGENT MOUILLANT POUR POLISSAGE ET COMPOSITION LIQUIDE DE POLISSAGE
(JA) 研磨用濡れ剤及び研磨液組成物
要約
(EN)
Provided is a wetting agent for polishing, containing a water soluble polymer of which the main chain portion is formed of a repeating unit consisting of a carbon-carbon bond and of which the polydispersity index (PDI) represented by weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn) is not higher than 2.0. The water soluble polymer optionally includes, in an amount of 10-100 mol%, a structural unit derived from a monomer having a nitrogen atom within the molecule.
(FR)
La présente invention concerne un agent mouillant pour polissage contenant un polymère hydrosoluble dont la partie de chaîne principale est formée d'une unité de répétition constituée d'une liaison carbone-carbone et dont l'indice de polydispersité (PDI) représenté par le poids moléculaire moyen en poids (Mw) /poids moléculaire moyen en nombre (Mn) est égal ou inférieur à 2,0. Le polymère hydrosoluble comporte éventuellement, en une quantité de 10 à 100 % en mole, un motif structural dérivé d'un monomère ayant un atome d'azote dans la molécule.
(JA)
主鎖部分が炭素-炭素結合のみからなる繰り返し単位により構成され、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)で表される分散度(PDI)が2.0以下である水溶性重合体を含む研磨用濡れ剤。上記水溶性重合体は、分子内に窒素原子を有する単量体に由来する構造単位を10mol%以上100mol%以下含むものであってもよい。
他の公開
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