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1. (WO2017002430) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/002430    国際出願番号:    PCT/JP2016/062227
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 18.04.2016
IPC:
G03F 7/075 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: GOTO Akiyoshi; (JP).
HATAKEYAMA Naoya; (JP).
KATO Keita; (JP).
OU Keiyu; (JP)
代理人: NAKASHIMA Junko; (JP)
優先権情報:
2015-132979 01.07.2015 JP
発明の名称: (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN MOLDING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE MOULAGE PAR MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a resin (A) that includes a repeating unit (a) having an Si atom, a crosslinking agent (B), and a compound (C) that generates an acid upon irradiation with active light or radiation (with the caveat that a repeating unit having the Si atom has a structure in which a polar group is protected by a leaving group that is decomposed and removed by the action of the acid, and if the Si atom is only included in the leaving group, the repeating unit is not included in the repeating unit (a)); an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film that includes the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a pattern molding method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; and an electronic device production method using the pattern molding method.
(FR)La présente invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement contenant une résine (A) qui comprend un motif répétitif (a) comprenant un atome de Si, un agent de réticulation (B) et un composé (C) qui génère un acide lors de l'irradiation avec une lumière ou un rayonnement actif (à condition qu'un motif répétitif comprenant l'atome de Si présente une structure dans laquelle un groupe polaire est protégé par un groupe partant qui est décomposé et éliminé par l'action de l'acide, et si l'atome de Si n'est inclus que dans le groupe partant, le motif répétitif n'est pas inclus dans le motif répétitif (a)) ; un film sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement qui comprend la composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement ; un procédé de moulage par motif à l'aide de la composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement et un procédé de production d'un dispositif électronique à l'aide du procédé de moulage par motif.
(JA)Si原子を有する繰り返し単位(a)を含む樹脂(A)、架橋剤(B)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(但し、Si原子を有する繰り返し単位が、酸の作用により分解し脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有し、かつ、前記脱離基のみにSi原子を含む場合、該繰り返し単位は前記繰り返し単位(a)には含まれない)、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を含む感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)