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1. (WO2017002384) 半導体デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2017/002384 国際出願番号: PCT/JP2016/053541
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 05.02.2016
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: MIYANAGA, Miki; JP
WATATANI, Kenichi; JP
AWATA, Hideaki; JP
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2015-13371702.07.2015JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN) Provided is a semiconductor device that includes: a gate electrode (2); a channel layer (7) that is disposed in a region directly below or directly above the gate electrode (2); a source electrode (5) and drain electrode (6), which are disposed in contact with the channel layer (7); and a first insulating layer (3) that is disposed between the gate electrode (2) and the channel layer (7). The channel layer (7) includes a first oxide semiconductor, the source electrode (5) and/or drain electrode (6) includes a second oxide semiconductor, and the first oxide semiconductor and the second oxide semiconductor contain indium, tungsten, and zinc. A method for manufacturing the semiconductor device is also provided.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend : une électrode de grille (2); une couche de canal (7) qui est disposée dans une région directement au-dessous ou directement au-dessus de l'électrode de grille (2); une électrode de source (5) et une électrode de drain (6) qui sont disposées en contact avec la couche de canal (7); et une première couche isolante (3) qui est disposée entre l'électrode de grille (2) et la couche de canal (7). La couche de canal (7) comprend un premier oxyde semi-conducteur, l'électrode de source (5) et/ou l'électrode de drain (6) comprend un second oxyde semi-conducteur, et le premier et le second oxyde semi-conducteur contiennent de l'indium, du tungstène et du zinc. La présente invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
(JA) ゲート電極(2)と、ゲート電極(2)の直下領域または直上領域に配置されるチャネル層(7)と、チャネル層(7)に接して配置されるソース電極(5)およびドレイン電極(6)と、ゲート電極(2)とチャネル層(7)との間に配置される第1絶縁層(3)とを含み、チャネル層(7)は第1酸化物半導体を含み、ソース電極(5)およびドレイン電極(6)の少なくとも一方は第2酸化物半導体を含み、第1酸化物半導体および第2酸化物半導体は、インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する半導体デバイス、ならびにその製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)