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1. (WO2017002317) 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2017/002317    International Application No.:    PCT/JP2016/002915
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Jun 18 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/338
H01L 21/205
H01L 21/336
H01L 29/207
H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/812
Applicants: SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
サンケン電気株式会社
SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: SATO, Ken
佐藤 憲
SHIKAUCHI, Hiroshi
鹿内 洋志
GOTO, Hirokazu
後藤 博一
SHINOMIYA, Masaru
篠宮 勝
TSUCHIYA, Keitaro
土屋 慶太郎
HAGIMOTO, Kazunori
萩本 和徳
Title: 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法
Abstract:
本発明は、基板と、該基板上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層とを有する半導体デバイス用基板であって、前記バッファ層は炭素及び鉄を含有し、前記バッファ層の上面の炭素濃度は、前記バッファ層の下面の炭素濃度より高く、前記バッファ層の上面の鉄の濃度は、前記バッファ層の下面の鉄の濃度より低いことを特徴とする半導体デバイス用基板である。これにより、縦方向のリーク電流を抑制しながら、高温動作時の横方向のリーク電流を低減させることができる半導体デバイス用基板が提供される。