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1. (WO2017002255) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2017/002255    International Application No.:    PCT/JP2015/069096
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Fri Jul 03 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/8234
H01L 27/04
H01L 27/088
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SUEKAWA Eisuke
末川 英介
Title: 半導体装置
Abstract:
本技術は、静電破壊耐量を向上させることができる、電流センスが搭載された半導体装置に関する。半導体装置は、主電流が流れる第1スイッチング素子と、センス電流が流れる第2スイッチング素子とを備える。第1スイッチング素子は、第1ソース層(16)とドリフト層(12)とに挟まれた第1ベース層(14)に接触して形成される第1ゲート酸化膜(17)を備える。第2スイッチング素子は、第2ソース層(16)とドリフト層とに挟まれた第2ベース層(14)に接触して形成される第2ゲート酸化膜(47)を備える。第2ゲート酸化膜の第2ベース層を覆う部分を含む部分の厚さは、第1ゲート酸化膜の厚さよりも厚い。