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1. (WO2017002200) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2017/002200    国際出願番号:    PCT/JP2015/068836
国際公開日: 05.01.2017 国際出願日: 30.06.2015
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
発明者: TAKAZAWA Naohiro; (JP).
TADAKI Yoshitaka; (JP)
代理人: TANAI Sumio; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device includes a first substrate, a second substrate, a first pad, a second pad, a first microbump, a first resin layer, and an insulating layer. The first substrate includes a first semiconductor layer and a first wiring layer. The second substrate includes a second semiconductor layer and a second wiring layer. The insulating layer contains an insulating material having a lower hygroscopicity than the first resin layer. The insulating layer penetrates the second substrate and the first resin layer. On a first cross section that passes through the first microbump, the first resin layer, and the insulating layer and that is parallel to the first surface, the insulating layer surrounds the first microbump.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un premier substrat, un second substrat, un premier disque, un second disque, une première micro-bosse, une première couche de résine et une couche isolante. Le premier substrat comprend une première couche semi-conductrice et une première couche de câblage. Le second substrat comprend une seconde couche semi-conductrice et une seconde couche de câblage. La couche isolante contient un matériau isolant présentant une hygroscopicité inférieure à celle de la première couche de résine. La couche isolante pénètre dans le second substrat et la première couche de résine. Sur une première section transversale qui passe à travers la première micro-bosse, la première couche de résine et la couche isolante et qui est parallèle à la première surface, la couche isolante entoure la première micro-bosse.
(JA)半導体装置は、第1の基板と、第2の基板と、第1のパッドと、第2のパッドと、第1のマイクロバンプと、第1の樹脂層と、絶縁層とを有する。前記第1の基板は、第1の半導体層と第1の配線層とを有する。前記第2の基板は、第2の半導体層と第2の配線層とを有する。前記絶縁層は、前記第1の樹脂層よりも吸湿性が低い絶縁材料を含む。前記絶縁層は、前記第2の基板と前記第1の樹脂層とを貫通する。前記第1のマイクロバンプと前記第1の樹脂層と前記絶縁層とを通り、かつ前記第1の面に平行な第1の断面において、前記絶縁層は前記第1のマイクロバンプを囲む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)