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1. WO2016208425 - 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ

公開番号 WO/2016/208425
公開日 29.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/067395
国際出願日 10.06.2016
IPC
H01L 41/318 2013.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
317液相堆積による
318ソルゲル堆積による
H01L 41/047 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02細部
04圧電または電歪素子のもの
047電極
H01L 41/09 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
09電気的入力および機械的出力をもつもの
H01L 41/29 2013.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
29電極,リードまたは端子配置の形成
H01L 41/43 2013.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
35圧電材料または電歪材料の形成
39無機材料
43焼成による
H04R 17/00 2006.1
H電気
04電気通信技術
Rスピーカ,マイクロホン,蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器;補聴器;パブリックアドレスシステム
17圧電型変換器;電わい型変換器
CPC
A61B 8/14
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
8Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
13Tomography
14Echo-tomography
H01L 41/047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
047Electrodes ; or electrical connection arrangements
H01L 41/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
09with electrical input and mechanical output ; , e.g. actuators, vibrators
H01L 41/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
29Forming electrodes, leads or terminal arrangements
H01L 41/318
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
317by liquid phase deposition
318by sol-gel deposition
H01L 41/43
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
35Forming piezo-electric or electrostrictive materials
39Inorganic materials
43by sintering
出願人
  • 国立大学法人 熊本大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KUMAMOTO UNIVERSITY [JP]/[JP]
  • 国立大学法人京都大学 KYOTO UNIVERSITY [JP]/[JP]
  • 株式会社産学連携研究所 ACADEMIC INDUSTRY RESEARCH INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 小林 牧子 KOBAYASHI, Makiko
  • 田邉 将之 TANABE, Masayuki
  • 椎名 毅 SHIINA, Tsuyoshi
  • 隅田 剣生 SUMITA, Kensei
  • 河口 範夫 KAWAGUCHI, Norio
代理人
  • 井関 勝守 ISEKI, Katsumori
優先権情報
2015-12626824.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY ULTRASONIC PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND HIGH-FREQUENCY ULTRASONIC PROBE INCLUDING SAME
(FR) ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ULTRASONORE À HAUTE FRÉQUENCE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SONDE ULTRASONORE À HAUTE FRÉQUENCE LE COMPRENANT
(JA) 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ
要約
(EN) According to the present invention, a lower electrode is prepared, and a composite containing a sol-gel solution and a piezoelectric powder is applied by spraying onto the lower electrode. The applied complex is then sintered to form a piezoelectric film, and an upper electrode is formed on the piezoelectric film.
(FR) Selon la présente invention, une électrode inférieure est préparée, et un composite contenant une solution sol-gel et une poudre piézoélectrique est appliqué par pulvérisation sur l'électrode inférieure. Le complexe appliqué est ensuite fritté pour former un film piézoélectrique, et une électrode supérieure est formée sur le film piézoélectrique.
(JA) 下部電極を準備し、該下部電極の上に、ゾルゲル溶液と圧電粉末とを含む複合体をスプレー法により塗布する。その後、塗布された複合体を焼結して圧電膜を形成し、 該圧電膜の上に上部電極を形成する。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報