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1. (WO2016207660) METHOD OF, AND APPARATUS FOR, REDUCING PHOTOELECTRON YIELD AND/OR SECONDARY ELECTRON YIELD
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2016/207660 国際出願番号: PCT/GB2016/051909
国際公開日: 29.12.2016 国際出願日: 24.06.2016
IPC:
B23K 26/00 (2014.01) ,B23K 26/0622 (2014.01) ,B23K 26/082 (2014.01) ,B23K 26/352 (2014.01) ,B23K 103/04 (2006.01) ,B23K 103/10 (2006.01) ,B23K 103/12 (2006.01) ,B23K 103/14 (2006.01)
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26
レーザービームによる加工,例.溶接,切断,穴あけ
[IPC code unknown for B23K 26/0622][IPC code unknown for B23K 26/082][IPC code unknown for B23K 26/352]
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
103
ハンダ付,溶接または切断される材料
02
鉄または鉄合金
04
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
103
ハンダ付,溶接または切断される材料
08
非鉄金属またはその合金
10
アルミニウムまたはその合金
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
103
ハンダ付,溶接または切断される材料
08
非鉄金属またはその合金
12
銅またはその合金
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
103
ハンダ付,溶接または切断される材料
08
非鉄金属またはその合金
14
チタンまたはその合金
出願人:
UNIVERSITY OF DUNDEE [GB/GB]; Nethergate Dundee DD1 4HN, GB
発明者:
ABDOLVAND, Amin; GB
代理人:
HARGREAVES, Timothy Edward; GB
優先権情報:
1511153.724.06.2015GB
1511154.524.06.2015GB
1517232.330.09.2015GB
1517235.630.09.2015GB
1603991.908.03.2016GB
発明の名称: (EN) METHOD OF, AND APPARATUS FOR, REDUCING PHOTOELECTRON YIELD AND/OR SECONDARY ELECTRON YIELD
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR RÉDUIRE LE RENDEMENT PHOTOÉLECTRONIQUE ET/OU LE RENDEMENT D'ÉLECTRONS SECONDAIRES
要約:
(EN) A method of reducing photoelectron yield (PEY) and/or secondary electron yield (SEY) of a surface of a target (10), comprises applying laser radiation to the surface of the target (10) to produce a periodic arrangement of structures on the surface, wherein the laser radiation comprises pulsed laser radiation comprising a series of laser pulses and the power density of the pulses is in a range 0.01 TW/cm2 to 3 TW/cm2, optionally 0.1 TW/cm2 to 3 TW/cm2.
(FR) L'invention concerne un procédé pour réduire le rendement photoélectronique (PEY) et/ou le rendement d'électrons secondaires (SEY) d'une surface d'une cible (10), lequel procédé consiste à appliquer un rayonnement de laser sur la surface de la cible (10) pour produire un agencement périodique de structures sur la surface, le rayonnement de laser comprenant un rayonnement de laser pulsé comprenant une série d'impulsions de laser, et la densité de puissance des impulsions étant dans une plage de 0,01 TW/cm2 à 3 TW/cm2, et, éventuellement, de 0,1 TW/cm2 à 3 TW/cm2.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)