処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2016204204 - パターン成膜装置

公開番号 WO/2016/204204
公開日 22.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/067860
国際出願日 15.06.2016
IPC
C23C 14/56 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
56連続被覆のために特に適合した装置;真空を維持するための装置,例.真空ロック
C23C 14/04 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
04選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの
CPC
C23C 14/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
C23C 14/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
出願人
  • コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP]/[JP]
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋 伸明 TAKAHASHI Nobuaki
  • 赤木 清 AKAGI Kiyoshi
  • 清水 豪 SHIMIZU Go
  • 佐藤 善勝 Sato Yoshikatsu
代理人
  • 特許業務法人磯野国際特許商標事務所 ISONO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2015-12039515.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FILM FORMING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM À MOTIF
(JA) パターン成膜装置
要約
(EN) Provided is a pattern film forming device that, when intermittently conveying a flexible band-like substrate, is capable of suitably detecting substrate markers provided on the substrate at a pattern processing position. The pattern film forming device (1) is equipped with thin-film forming units (10X), (10Y) each having a first imaging unit (15) for imaging substrate markers provided in each processing region on a substrate (2) and second imaging units (16a), (16b) for imaging the substrate markers at the pattern processing position. A control unit calculates the conveyance distance to the pattern processing position on the basis of the detection results from the first imaging unit (15). By controlling drive rollers (12) on the basis of the conveyance distance, the processing regions corresponding to the substrate markers are conveyed to the pattern processing position, and by controlling a material ejecting unit (17) and a mask (18) on the basis of the detection results from the second imaging units (16a), (16b), film pattern processing is performed on the processing regions.
(FR) L'invention concerne un dispositif de formation de film à motif qui, lorsqu'il transporte par intermittence un substrat de type bande flexible, peut détecter judicieusement des marqueurs du substrat situés sur le substrat au niveau d'une position de traitement de motif. Le dispositif de formation de film à motif (1) est équipé d'unités de formation de film mince (10X), (10Y) comportant chacune une première unité d'imagerie (15) conçue pour imager les marqueurs du substrat situés dans chaque région de traitement sur un substrat (2), ainsi que des secondes unités d'imagerie (16a), (16b) conçues pour imager les marqueurs du substrat au niveau de la position de traitement de motif. Une unité de commande calcule la distance de transport jusqu'à la position de traitement de motif sur la base des résultats de détection provenant de la première unité d'imagerie (15). La commande de rouleaux d'entraînement (12) sur la base de la distance de transport permet de transporter les régions de traitement correspondant aux marqueurs du substrat jusqu'à la position de traitement de motif. La commande d'une unité d'éjection de matériau (17) et d'un masque (18) sur la base des résultats de détection provenant des secondes unités d'imagerie (16a), (16b) permet de procéder à un traitement de motif de film sur les régions de traitement.
(JA) 可撓性を有する帯状の基材を間欠搬送する際に、パターン加工位置において基材に設けられた基材マーカーを好適に検出することが可能なパターン成膜装置を提供する。 パターン成膜装置(1)は、基材(2)に加工領域ごとに設けられた基材マーカーを撮影する第一の撮影部(15)と、パターン加工位置において基材マーカーを撮影する第二の撮影部(16a),(16b)と、を有する薄膜形成部(10X),(10Y)を備え、制御部は、第一の撮影部(15)の検出結果に基づいて、パターン加工位置までの搬送距離を算出し、搬送距離に基づいて駆動ローラ(12)を制御することによって、基材マーカーに対応する加工領域をパターン加工位置まで搬送し、第二の撮影部(16a),(16b)の検出結果に基づいて材料出射部(17)及びマスク(18)を制御することによって、加工領域に膜パターン加工を行う。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報