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1. WO2016203887 - 新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

公開番号 WO/2016/203887
公開日 22.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/064573
国際出願日 17.05.2016
IPC
C07F 13/00 2006.1
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
13周期表の第7族または第17族の元素を含有する化合物
C07F 15/04 2006.1
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
15周期表の第8族,第9族,第10族または第18族の元素を含有する化合物
04ニッケル化合物
C07F 15/06 2006.1
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
15周期表の第8族,第9族,第10族または第18族の元素を含有する化合物
06コバルト化合物
C23C 16/18 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
18金属有機質化合物からのもの
H01L 21/285 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
CPC
C07F 13/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
13Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic System
C07F 13/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
13Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic System
005Compounds without a metal-carbon linkage
C07F 15/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
15Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
04Nickel compounds
C07F 15/045
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
15Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
04Nickel compounds
045without a metal-carbon linkage
C07F 15/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
15Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
06Cobalt compounds
C07F 15/065
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
15Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
06Cobalt compounds
065without a metal-carbon linkage
出願人
  • 株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 吉野 智晴 YOSHINO, Tomoharu
  • 遠津 正揮 ENZU, Masaki
  • 西田 章浩 NISHIDA, Akihiro
  • 杉浦 奈奈 SUGIURA, Nana
代理人
  • 曾我 道治 SOGA, Michiharu
優先権情報
2015-12184017.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING NOVEL COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, AND THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN NOUVEAU COMPOSÉ, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM FIN, ET FILM FIN
(JA) 新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約
(EN) This novel compound is characterized by being represented by general formula (I) or (II). [In the formula, R1 and R2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and a hydrogen atom in the hydrocarbon group may be substituted by Si(R3)3, with the proviso that R1 and R2 are different groups. R3 represents a methyl group or an ethyl group. M represents a metal atom or a silicon atom. n represents an integer from 1 to 4.]
(FR) La présente invention concerne un nouveau composé caractérisé en ce qu’il est représenté par la formule générale (I) ou (II). [Dans la formule, R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarbure ayant 1 à 12 atomes de carbone, et un atome d’hydrogène dans le groupe hydrocarbure peut être substitué par Si(R3)3, à condition que R1 et R2 soient des groupes différents. R3 représente un groupe méthyle ou un groupe éthyle. M représente un atome de métal ou un atome de silicium. n représente un nombre entier d’une valeur de 1 à 4.]
(JA) 本発明の新規化合物は、下記一般式(I)または(II)で表されることを特徴とする: [式中、R1及びR2は、各々独立に炭素原子数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基の水素原子はSi(R33で置換されている場合もある。ただし、R1とR2は、異なる基である。R3は、メチル基またはエチル基を表し、Mは、金属原子またはケイ素原子を表し、nは、1~4の整数を表す。]
国際事務局に記録されている最新の書誌情報