処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2016203705 - 半導体装置

公開番号 WO/2016/203705
公開日 22.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/002392
国際出願日 16.05.2016
IPC
H01L 23/48 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H01L 23/29 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 2224/2612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
H01L 2224/32245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32245the item being metallic
H01L 2224/32501
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
325Material
32501at the bonding interface
H01L 2224/33
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
33of a plurality of layer connectors
H01L 23/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
16Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; , e.g. centering rings
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 森野 友生 MORINO, Tomoo
代理人
  • 金 順姫 KIN, Junhi
優先権情報
2015-12298118.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN) This semiconductor device is provided with: first elements (10 to 14) formed with a first component as a main component; second elements (20 to 24) formed with a second component as a main component; a heat sink (30) on which the first elements and the second elements are placed; a first joining layer (50) which electrically joins the first elements to the heat sink; a second joining layer (60) which electrically joins the second elements to the heat sink; and a molded resin (90) which covers and protects the first elements, the second elements and the heat sink. The physical sizes of the first elements and the second elements are set in such a way that the equivalent plastic strain increment of the first joining layer is greater than that of the second joining layer. By this means, in a semiconductor device provided with semiconductor elements formed using mutually different components, the elements can be thermally protected without the need to provide a temperature detecting means on the side on which the semiconductor elements formed using one of the components are provided.
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant : des premiers éléments (10 à 14) formés avec un premier composant comme composant principal ; des seconds éléments (20 à 24) formés avec un second composant comme composant principal ; un dissipateur de chaleur (30) sur lequel les premiers éléments et les seconds éléments sont placés ; une première couche de liaison (50) qui relie électriquement les premiers éléments au dissipateur de chaleur ; une seconde couche de liaison (60) qui relie électriquement les seconds éléments au dissipateur de chaleur ; et une résine moulée (90) qui recouvre et protège les premiers éléments, les seconds éléments et le dissipateur de chaleur. Les tailles physiques des premiers éléments et des seconds éléments sont réglées de manière que l'incrément de déformation plastique équivalente de la première couche de liaison soit supérieur à celui de la seconde couche de liaison. Par ce moyen, dans un dispositif à semi-conducteur pourvu d'éléments à semi-conducteur formés à l'aide de composants mutuellement différents, les éléments peuvent être thermiquement protégés sans qu'il ne soit nécessaire de disposer un moyen de détection de température sur le côté sur lequel les éléments à semi-conducteur formés à l'aide de l'un des composants sont disposés.
(JA) 半導体装置は、第1成分を主成分として形成された第1素子(10~14)と、第2成分を主成分として形成された第2素子(20~24)と、第1素子および第2素子が載置されるヒートシンク(30)と、第1素子とヒートシンクとを電気的に接合する第1接合層(50)と、第2素子とヒートシンクとを電気的に接合する第2接合層(60)と、第1素子、第2素子、およびヒートシンクを被覆して保護するモールド樹脂(90)を備える。第1素子および第2素子の体格は、第2接合層よりも第1接合層の相当塑性ひずみ増分が大きくなるように設定される。これにより、互いに異なる成分から構成される半導体素子を備える半導体装置において、一方の成分から構成される半導体素子側に温度検出手段を設けることなく、素子の熱的保護を行うことができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報