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1. WO2016199759 - 基板保持装置、成膜装置及び基板保持方法

公開番号 WO/2016/199759
公開日 15.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/066899
国際出願日 07.06.2016
IPC
H01L 21/683 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
C23C 14/04 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
04選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの
CPC
C23C 14/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H01L 2224/75733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
757Means for aligning
75733Magnetic holding means
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 織部 あゆみ ORIBE, Ayumi
  • 萩原 宗源 HAGIWARA, Munemoto
  • 梅村 博文 UMEMURA, Hirofumi
  • 糟谷 憲昭 KASUYA, Noriaki
  • 小池 潤一郎 KOIKE, Junichiro
  • 小泉 和彦 KOIZUMI, Kazuhiko
  • 藤野 英二 FUJINO, Eiji
代理人
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2015-11906212.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE HOLDING DEVICE, FILM FORMING APPARATUS AND SUBSTRATE HOLDING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MAINTIEN DE SUBSTRAT, APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE MAINTIEN DE SUBSTRAT
(JA) 基板保持装置、成膜装置及び基板保持方法
要約
(EN) Provided is a substrate holding device which is capable of ensuring adhesion between a mask and a substrate. This substrate holding device 30 is provided with: a mask plate 311; an intermediate plate 32; a holding plate 33; and a pressing mechanism 34. The mask plate 311 is configured from a magnetic material. The intermediate plate 32 comprises a first surface facing the mask plate 311 and a second surface that is on the reverse side of the first surface, and is configured such that the first surface is able to come into contact with a substrate W that is arranged on the mask plate 311. The holding plate 33 supports the intermediate plate 32 in such a manner that the intermediate plate 32 is relatively movable in an axial direction that is perpendicular to the mask plate 311, and comprises a magnet 331 which is configured so as to be capable of magnetically sucking the mask plate 311, with the intermediate plate 32 and the substrate W being interposed therebetween. The pressing mechanism 34 is arranged so as to face the second surface, and is configured so as to be capable of pressing at least a part of the second surface in the above-described axial direction.
(FR) L'invention concerne un dispositif de maintien de substrat qui est capable d'assurer l'adhérence entre un masque et un substrat. Ce dispositif de maintien de substrat 30 est pourvu : d'une plaque de masque 311 ; d'une plaque intermédiaire 32 ; d'une plaque de maintien 33 ; et d' un mécanisme de compression 34. La plaque de masque 311 est conçue à partir d'un matériau magnétique. La plaque intermédiaire 32 comprend une première surface faisant face à la plaque de masque 311 et une seconde surface qui est sur le côté inverse de la première surface, et est conçue de telle sorte que la première surface est capable de venir en contact avec un substrat W qui est agencé sur la plaque de masque 311. La plaque de maintien 33 supporte la plaque intermédiaire 32 de telle sorte que la plaque intermédiaire 32 est relativement mobile dans une direction axiale qui est perpendiculaire à la plaque de masque 311, et comprend un aimant 331 qui est conçu de manière à être capable d'aspirer magnétiquement la plaque de masque 311, la plaque intermédiaire 32 et le substrat W étant intercalés entre ceux-ci. Le mécanisme de compression 34 est agencé de manière à faire face à la seconde surface, et est conçu de manière à être capable d'exercer une pression sur au moins une partie de la seconde surface dans la direction axiale décrite ci-dessus.
(JA) マスクと基板との密着性を確保することができる基板保持装置を提供する。 基板保持装置30は、マスクプレート311と、中間プレート32と、保持プレート33と、押圧機構34とを具備する。マスクプレート311は、磁性材料で構成される。中間プレート32は、マスクプレート311に対向する第1の面と、上記第1の面とは反対側の第2の面とを有し、上記第1の面がマスクプレート311上に配置された基板Wに接触可能に構成される。保持プレート33は、中間プレート32をマスクプレート311と直交する軸方向に相対移動可能に支持し、中間プレート32及び基板Wを介してマスクプレート311を磁気吸着することが可能に構成されたマグネット331を有する。押圧機構34は、上記第2の面に対向して配置され、上記第2の面の少なくとも一部を上記軸方向に沿って押圧することが可能に構成される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報