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1. WO2016195039 - アクティブマトリクス基板およびその製造方法、ならびにアクティブマトリクス基板を用いた表示装置

公開番号 WO/2016/195039
公開日 08.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/066470
国際出願日 02.06.2016
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G02F 1/1368 2006.1
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G09F 9/30 2006.1
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/02 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
CPC
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1262with a particular formation, treatment or coating of the substrate
H01L 27/3241
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 松木薗 広志 MATSUKIZONO Hiroshi
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
2015-11470105.06.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, DISPLAY DEVICE USING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT LE SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス基板およびその製造方法、ならびにアクティブマトリクス基板を用いた表示装置
要約
(EN) An active matrix substrate (1001), having: a plurality of pixel regions arranged as a matrix in a first direction and a second direction on a substrate (1); a display region (800) provided with a plurality of gate wires G extending in the first direction and a plurality of source wires S extending in the second direction, the display region (800) including a plurality of pixel regions; and a non-display region (900) located around the display region. Each of the pixel regions is provided with a thin-film transistor (101) including an oxide semiconductor layer, and a pixel electrode (15) formed integrally with a drain electrode (9). The gate electrode (3) and the gate wires G are formed from a first transparent electroconductive film. The drain electrode (9) and the pixel electrode (15) are formed from a second transparent electroconductive film, and are further provided with: a plurality of gate signal lines installed in the non-display region (900) and formed from a metal film; and a first connecting part for connecting each of the gate wires G to one of the gate signal lines.
(FR) L'invention concerne un substrat de matrice active (1001), comprenant : une pluralité de régions de pixel agencées sous la forme d'une matrice dans une première direction et une deuxième direction sur un substrat (1) ; une région d'affichage (800) pourvue d'une pluralité de fils de grille G s'étendant dans la première direction et d'une pluralité de fils de source S s'étendant dans la deuxième direction, la région d'affichage (800) comprenant une pluralité de régions de pixel ; et une région de non-affichage (900) située autour de la région d'affichage. Chacune des régions de pixel est pourvue d'un transistor à couches minces (101) comprenant une couche d'oxyde semi-conducteur, et d'une électrode de pixel (15) formée d'un seul tenant avec une électrode de drain (9). Une électrode de grille (3) et les fils de grille G sont formés à partir d'un premier film électroconducteur transparent. L'électrode de drain (9) et l'électrode de pixel (15) sont formées à partir d'un deuxième film électroconducteur transparent, et le substrat de matrice active est en outre pourvu : d'une pluralité de lignes de signal de grille installées dans la région de non-affichage (900) et formées à partir d'un film métallique ; et d'une première partie de connexion pour connecter chacun des fils de grille G à l'une des lignes de signal de grille.
(JA) アクティブマトリクス基板(1001)は、基板(1)上に第1および第2の方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、第1の方向に延びる複数のゲート配線Gと、第2の方向に延びる複数のソース配線Sとを備え、複数の画素領域を含む表示領域(800)と、表示領域の周辺に位置する非表示領域(900)とを有し、各画素領域は、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ(101)と、ドレイン電極(9)と一体的に形成された画素電極(15)とを備え、ゲート電極(3)およびゲート配線Gは第1の透明導電膜から形成されており、ドレイン電極(9)および画素電極(15)は第2の透明導電膜から形成されており、非表示領域(900)に設けられ、かつ、金属膜から形成された複数のゲート信号線と、複数のゲート配線Gのそれぞれをゲート信号線のいずれかに接続する第1接続部とをさらに備える。
関連特許文献
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