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1. (WO2016193968) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2016/193968 国際出願番号: PCT/IL2016/050555
国際公開日: 08.12.2016 国際出願日: 29.05.2016
IPC:
G01N 23/22 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
23
グループG01N21/00またはG01N22/00に包含されない波動性または粒子性放射線,例.X線,中性子線,の使用による材料の調査または分析
22
二次放射の測定によるもの
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
出願人:
XWINSYS LTD. [IL/IL]; 6 Haticshoret Street Rama Gabriel 20307049 Migdal Haemek, IL
発明者:
REINIS, Doron; IL
GEFFEN, Michael; IL
PERETZ, Roni; IL
SMITH, Colin; IL
代理人:
LUDAR, Aryeh; Pastel LTD. 39 Barkan Street P O Box 84 2014200 Yuvalim, IL
優先権情報:
62/169,01801.06.2015US
発明の名称: (EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
(FR) APPAREIL D'INSPECTION DE MÉTROLOGIE
要約:
(EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS [001]The present disclosure provides a method and an apparatus for apparatus for inspecting a semiconductor wafer for abnormalities by accurately measuring elemental concentration at a target area. The apparatus includes an x-ray imaging subsystem for measuring an elemental composition at the target area of the semiconductor wafer. The apparatus further includes an edxrf subsystem for measuring an elemental concentration at the target area of the semiconductor wafer. The elemental concentration may be calibrated by first correlating the elemental concentration measurements obtained using x-ray imaging system for the target area with the elemental concentration measurements obtained using the edxrf subsystem for the target area to receive an augmented and accurate elemental concentration measurement for the target area of the semiconductor wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil permettant d'inspecter une tranche de semi-conducteur par rapport à des anomalies en mesurant précisément la concentration élémentaire au niveau d'une zone cible. L'appareil comprend : un sous-système d'imagerie par rayons X conçu pour mesurer une composition élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur ; et un sous-système edxrf conçu pour mesurer une concentration élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur. La concentration élémentaire peut être étalonnée en corrélant les mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant un système d'imagerie par rayons X pour la zone cible aux mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant le sous-système edxrf pour la zone cible de façon à recevoir une mesure de concentration élémentaire augmentée et précise pour la zone cible de la tranche de semi-conducteur.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)