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1. WO2016190159 - タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法

公開番号 WO/2016/190159
公開日 01.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/064537
国際出願日 17.05.2016
IPC
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
B21J 1/02 2006.1
B処理操作;運輸
21本質的には材料の除去が行なわれない機械的金属加工;金属の打抜き
J鍛造;ハンマーリング;金属のプレス;リベット締め;鍛造炉
1金属材料の調整
02特定の形に変形しない金属素材の前処理,例.偏折域の改善,素材の荒鍛造またはプレス加工
C22C 27/02 2006.1
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
27レニウムまたはグループC22C14/00もしくはC22C16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
02バナジウム,ニオブまたはタンタルを基とする合金
C22F 1/00 2006.1
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
C22F 1/18 2006.1
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
16上記以外の金属またはそれを基とする合金
18高融点金属,耐火金属またはそれらを基とする合金
CPC
B21J 1/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
JFORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
1Preparing metal stock ; or similar ancillary operations prior, during or post forging, e.g. heating or cooling
02Preliminary treatment of metal stock without particular shaping, e.g. salvaging segregated zones, forging or pressing in the rough
C22C 27/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
27Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
02Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
C22F 1/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
C22F 1/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
16of other metals or alloys based thereon
18High-melting or refractory metals or alloys based thereon
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
出願人
  • JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 永津 光太郎 NAGATSU Kotaro
  • 仙田 真一郎 SENDA Shinichiro
代理人
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu
優先権情報
2015-10429522.05.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE TANTALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
要約
(EN) When backscattered electron diffraction is used to observe the normal direction ND of the rolling surface, i.e. a cross section orthogonal to the sputtering surface of the target, this tantalum sputtering target has an area ratio of crystal grains of which the {111} plane is oriented in ND of at least 35%. As a result of increasing the straightness of a sputtering material, the present invention addresses the problem of providing a tantalum sputtering target capable of uniformly forming a film of the sputtering material on a wafer surface under high-power sputtering conditions. When such a tantalum target is used to perform sputtering, film thickness uniformity and film formation throughput can be improved, even with regard to fine wiring.
(FR) Lorsque la diffraction d'électrons rétrodiffusés est utilisée pour observer la direction normale (ND) de la surface de roulement, c'est-à-dire une section transversale orthogonale à la surface de pulvérisation de la cible, la cible de pulvérisation à base de tantale selon l'invention présente un rapport de surface des grains cristallins dont le plan {111} est orienté dans la direction normale supérieur ou égal à 35 %. Du fait de l'amélioration de la rectitude d'un matériau de pulvérisation cathodique, la présente invention aborde le problème de la fourniture d'une cible de pulvérisation à base de tantale capable de former de manière uniforme un film du matériau de pulvérisation sur une surface de plaquette sous des conditions de pulvérisation de haute puissance. Lorsqu'une telle cible à base de tantale est utilisée pour effectuer la pulvérisation cathodique, l'uniformité d'épaisseur du film et le débit de formation de film peuvent être améliorés, y compris en ce qui concerne un câblage fin.
(JA) 後方散乱電子回折法を用いてターゲットのスパッタ面に対して垂直な断面である圧延面法線方向:NDを観察したとき、{111}面がNDに配向している結晶粒の面積率が35%以上であるタンタルスパッタリングターゲット。本発明は、ハイパワースパッタ状況下において、スパッタ物質の直進性を増すことで、ウエハ面上にスパッタ物質を均一に成膜することが可能なタンタルスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。このようなタンタルターゲットを用いてスパッタした場合、微細配線においても、膜厚の均一性と成膜のスループットを向上することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報