(EN) When backscattered electron diffraction is used to observe the normal direction ND of the rolling surface, i.e. a cross section orthogonal to the sputtering surface of the target, this tantalum sputtering target has an area ratio of crystal grains of which the {111} plane is oriented in ND of at least 35%. As a result of increasing the straightness of a sputtering material, the present invention addresses the problem of providing a tantalum sputtering target capable of uniformly forming a film of the sputtering material on a wafer surface under high-power sputtering conditions. When such a tantalum target is used to perform sputtering, film thickness uniformity and film formation throughput can be improved, even with regard to fine wiring.
(FR) Lorsque la diffraction d'électrons rétrodiffusés est utilisée pour observer la direction normale (ND) de la surface de roulement, c'est-à-dire une section transversale orthogonale à la surface de pulvérisation de la cible, la cible de pulvérisation à base de tantale selon l'invention présente un rapport de surface des grains cristallins dont le plan {111} est orienté dans la direction normale supérieur ou égal à 35 %. Du fait de l'amélioration de la rectitude d'un matériau de pulvérisation cathodique, la présente invention aborde le problème de la fourniture d'une cible de pulvérisation à base de tantale capable de former de manière uniforme un film du matériau de pulvérisation sur une surface de plaquette sous des conditions de pulvérisation de haute puissance. Lorsqu'une telle cible à base de tantale est utilisée pour effectuer la pulvérisation cathodique, l'uniformité d'épaisseur du film et le débit de formation de film peuvent être améliorés, y compris en ce qui concerne un câblage fin.
(JA) 後方散乱電子回折法を用いてターゲットのスパッタ面に対して垂直な断面である圧延面法線方向：ＮＤを観察したとき、｛１１１｝面がＮＤに配向している結晶粒の面積率が３５％以上であるタンタルスパッタリングターゲット。本発明は、ハイパワースパッタ状況下において、スパッタ物質の直進性を増すことで、ウエハ面上にスパッタ物質を均一に成膜することが可能なタンタルスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。このようなタンタルターゲットを用いてスパッタした場合、微細配線においても、膜厚の均一性と成膜のスループットを向上することができる。
