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1. WO2016189986 - 半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2016/189986
公開日 01.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/061574
国際出願日 08.04.2016
IPC
H01L 21/301 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H01L 23/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
CPC
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 佐伯 尚哉 SAIKI, Naoya
  • 堀米 克彦 HORIGOME, Katsuhiko
  • 米山 裕之 YONEYAMA, Hiroyuki
  • 荒井 善男 ARAI, Yoshio
代理人
  • 大谷 保 OHTANI, Tamotsu
優先権情報
2015-10568525.05.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約
(EN) The semiconductor device manufacturing method according to the present invention comprises: a pre-treatment step for forming a groove from the front surface side of a semiconductor wafer or forming a modified region on the semiconductor wafer; a chip dicing step for grinding the semiconductor wafer from the rear surface side to dice the semiconductor wafer, along the groove or the modified region, into a plurality of chips; an attachment step for attaching, to the rear surfaces of the diced semiconductor wafer, the side of thermosetting protective coating formation films of supporter-provided protective coating formation films, in which the thermosetting protective coating formation films are provided on supporters; a thermosetting step for thermosetting, and converting into protective films, the thermosetting protective coating formation films attached to the semiconductor wafers; and a pickup step for picking up, after the thermosetting step, protective film-provided chips in which the protective films are laminated on the chips.
(FR) Le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : une étape de prétraitement permettant de former une rainure à partir du côté surface avant d'une tranche de semi-conducteur ou de former une région modifiée sur la tranche de semi-conducteur; une étape de découpage en dés de puce permettant de meuler la tranche de semi-conducteur à partir du côté surface arrière pour découper en dés la tranche de semi-conducteur, le long de la rainure ou de la région modifiée, en une pluralité de puces; une étape de fixation permettant de fixer, sur les surfaces arrière de la tranche de semi-conducteur découpée en dés, le côté de films de formation de revêtement de protection thermodurcissables de films de formation de revêtement de protection dotés de support, lesquels films de formation de revêtement de protection thermodurcissables sont disposés sur des supports; une étape de thermodurcissement permettant de thermodurcir, et de convertir en films de protection, les films de formation de revêtement de protection thermodurcissables fixés aux tranches de semi-conducteur; et une étape de capture permettant de capturer, après l'étape de thermodurcissement, les puces dotées d'un film de protection, les films de protection étant stratifiés sur les puces.
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハに改質領域を形成する前処理工程と、前記半導体ウエハを裏面側から研削して、前記溝又は改質領域に沿って複数のチップに個片化させるチップ個片化工程と、支持体上に熱硬化性保護膜形成フィルムが設けられている支持体付き保護膜形成フィルムの熱硬化性保護膜形成フィルム側を、個片化された前記半導体ウエハの裏面に貼付する貼付工程と、前記半導体ウエハに貼付した前記熱硬化性保護膜形成フィルムを、熱硬化して保護膜とする熱硬化工程と、前記熱硬化工程の後に、前記チップに前記保護膜が積層された保護膜付きチップをピックアップするピックアップ工程とを備える。
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