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1. WO2016189953 - 圧接型半導体装置

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公開番号 WO/2016/189953
公開日 01.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/059693
国際出願日 25.03.2016
IPC
H01L 21/52 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
H01L 25/07 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
H01L 23/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
H01L 23/051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
043the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
051another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 23/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements
H01L 23/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 奥田　聡志 OKUDA, Satoshi
  • 古川　彰彦 FURUKAWA, Akihiko
  • 池田　知弘 IKEDA, Tomohiro
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2015-10647526.05.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRESSURE-CONTACT SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À CONTACT PAR PRESSION
(JA) 圧接型半導体装置
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要約
(EN) In this pressure-contact semiconductor device (1), a second intermediate electrode (25) on a second semiconductor chip (15) has at least one second through hole (28). The at least one second through hole (28) is fluidly separated from a space (48) hermetically sealed by a tubular body (50), a first common electrode plate (40), and a second common electrode plate (45). Accordingly, the pressure-contact semiconductor device (1) has high reliability.
(FR) Dans ce dispositif à semi-conducteur (1) à contact par pression (1), une seconde électrode intermédiaire (25) sur une seconde puce à semi-conducteur (15) présente au moins un second trou traversant (28). L'au moins un second trou traversant (28) est séparé fluidiquement d'un espace (48) hermétiquement scellé par un corps tubulaire (50), une première plaque d'électrode commune (40), et une seconde plaque d'électrode commune (45). En conséquence, le dispositif à semi-conducteur à contact par pression (1) a une fiabilité élevée.
(JA) 圧接型半導体装置（１）において、第２の半導体チップ（１５）上の第２の中間電極（２５）は、１つ以上の第２の貫通孔（２８）を有する。１つ以上の第２の貫通孔（２８）は、筒体（５０）と第１の共通電極板（４０）と第２の共通電極板（４５）とによって気密封止される空間（４８）から流体的に分離されている。これにより、圧接型半導体装置（１）は、高い信頼性を有する。
関連特許文献
CN107533983
EP3306649
US20180277508
JPWO2016189953
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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