(EN) In this pressure-contact semiconductor device (1), a second intermediate electrode (25) on a second semiconductor chip (15) has at least one second through hole (28). The at least one second through hole (28) is fluidly separated from a space (48) hermetically sealed by a tubular body (50), a first common electrode plate (40), and a second common electrode plate (45). Accordingly, the pressure-contact semiconductor device (1) has high reliability.
(FR) Dans ce dispositif à semi-conducteur (1) à contact par pression (1), une seconde électrode intermédiaire (25) sur une seconde puce à semi-conducteur (15) présente au moins un second trou traversant (28). L'au moins un second trou traversant (28) est séparé fluidiquement d'un espace (48) hermétiquement scellé par un corps tubulaire (50), une première plaque d'électrode commune (40), et une seconde plaque d'électrode commune (45). En conséquence, le dispositif à semi-conducteur à contact par pression (1) a une fiabilité élevée.
(JA) 圧接型半導体装置(1)において、第2の半導体チップ(15)上の第2の中間電極(25)は、1つ以上の第2の貫通孔(28)を有する。1つ以上の第2の貫通孔(28)は、筒体(50)と第1の共通電極板(40)と第2の共通電極板(45)とによって気密封止される空間(48)から流体的に分離されている。これにより、圧接型半導体装置(1)は、高い信頼性を有する。