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1. WO2016189778 - 半導体ウェーハの評価方法

公開番号 WO/2016/189778
公開日 01.12.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/001274
国際出願日 09.03.2016
IPC
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
G01N 21/956 2006.1
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
CPC
G01B 11/30
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
30for measuring roughness or irregularity of surfaces
G01N 2021/8822
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
8822Dark field detection
G01N 2021/8854
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
8854Grading and classifying of flaws
G01N 2021/8864
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
8854Grading and classifying of flaws
8861Determining coordinates of flaws
8864Mapping zones of defects
G01N 2021/8867
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
8854Grading and classifying of flaws
8867using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing
G01N 2021/8874
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
8854Grading and classifying of flaws
8874Taking dimensions of defect into account
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 加藤 正弘 KATO, Masahiro
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio
優先権情報
2015-10739827.05.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR WAFER EVALUATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D’ÉVALUATION DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体ウェーハの評価方法
要約
(EN) The present invention provides a semiconductor wafer evaluation method comprising: a step of detecting a light point defect (LPD) in a semiconductor wafer which is an investigation sample, using two measurement modes, namely DWO and DNO; a step of classifying the size of the LPD; a step of computing the distance and relative angle between detection coordinates in the two measurement modes; a step of setting in advance a determination reference for determining whether the LPD is foreign matter or a killer defect, with respect to each classified size; a step of detecting an LPD in a semiconductor wafer being evaluated, using the two measurement modes; a step of classifying the size of the LPD in the semiconductor wafer being evaluated; a step of computing, with respect to the semiconductor wafer being evaluated, the distance and relative angle between detection coordinates; and a step of using the results of the computations and the determination reference as the basis for classifying, as either a killer defect or foreign matter, the LPD detected on the surface of the semiconductor wafer being evaluated. The semiconductor wafer evaluation method enables all LPDs, including saturated LPDs for which quantitative size information cannot be obtained, to be classified as either killer defects or foreign matter.
(FR) La présente invention concerne un procédé d’évaluation de plaquette semi-conductrice consistant : en une étape de détection d’un défaut de point lumineux (LPD) dans une plaquette semi-conductrice qui est un échantillon d’investigation, au moyen de deux modes de mesure, c’est-à-dire DWO et DNO ; une étape de classification de la taille du LPD ; une étape de calcul de la distance et de l’angle relatif entre des coordonnées de détection dans les deux modes de mesure ; une étape de définition à l’avance d’une référence de détermination servant à déterminer si le LPD est une matière étrangère ou un défaut tueur, par rapport à chaque taille classée ; une étape de détection d’un LPD dans une plaquette semi-conductrice qui est évaluée, au moyen des deux modes de mesure ; une étape de classification de la taille du LPD dans la plaquette semi-conductrice qui est évaluée ; une étape de calcul, par rapport à la plaquette semi-conductrice qui est évaluée, de la distance et de l’angle relatif entre des coordonnées de détection ; et une étape d’utilisation des résultats des calculs et de la référence de détermination comme base de classement, comme défaut tueur ou comme matière étrangère, du LPD détecté à la surface de la plaquette semi-conductrice qui est évaluée. Le procédé d’évaluation de plaquette semi-conductrice permet de classer tous les LPD, y compris les LPD saturés pour lesquels des informations de taille quantitatives ne peuvent être obtenues, comme défauts tueurs ou comme matière étrangère.
(JA) 本発明は、DWO、DNOの2通りの測定モードにより、調査用サンプルである半導体ウェーハのLPDを検出する工程、LPDのサイズ分類を行う工程、2通りの測定モードにおける検出座標間の距離及び相対角度を計算する工程、LPDを異物又はキラー欠陥と判定する判定基準を分類されたサイズ毎に予め設定する工程、評価対象である半導体ウェーハのLPDを2通りの測定モードにより検出する工程、評価対象のLPDのサイズ分類を行う工程、評価対象について、検出座標間の距離及び相対角度を計算する工程、及び該計算の結果及び判定基準に基づいて、評価対象の表面に検出されたLPDをキラー欠陥と異物とに分類する工程を有する半導体ウェーハの評価方法である。これにより、定量的なサイズ情報が得られない飽和LPDも含め、全てのLPDに対しキラー欠陥と異物との分類を可能とする半導体ウェーハの評価方法が提供される。
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