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1. (WO2016186046) 基板除電機構及びこれを用いた真空処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/186046    国際出願番号:    PCT/JP2016/064361
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 13.05.2016
IPC:
C23C 14/58 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
発明者: HIRONO Takayoshi; (JP)
代理人: ABE, Hideki; (JP)
優先権情報:
2015-099574 15.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE DESTATICIZING MECHANISM AND VACUUM TREATMENT APPARATUS USING SAME
(FR) MÉCANISME DE TRAITEMENT ANTISTATIQUE DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT SOUS VIDE LE METTANT EN ŒUVRE
(JA) 基板除電機構及びこれを用いた真空処理装置
要約: front page image
(EN)Provided is a technique which is used for, for example, devices for forming a film on a film-like substrate in vacuum and allows efficient destaticization using a simple structure without affecting a treated region. The present invention also provides a substrate destaticizing mechanism which destaticizes, by magnetron discharge, a film formation film 10 being transported in vacuum. According to the present invention, the substrate destaticizing mechanism comprises: a housing 51 to which a discharge gas is introduced; linear discharge electrodes 53 which are disposed perpendicular to the direction of transportation of the substrate in the housing 51 and to which a predetermined voltage is applied; and magnets 54A disposed near the discharge electrodes 53. The magnets 54A are disposed so as to cause an electrical discharge according to the distribution of the charge amount in the film formation film 10.
(FR)Cette invention concerne une technique qui est utilisée, par exemple, pour des dispositifs de formation d'un film sur un substrat de type film sous vide et permet d'effectuer un traitement antistatique efficace à l'aide d'une structure simple sans affecter une région traitée. L'invention concerne en outre un mécanisme de traitement antistatique de substrat qui effectue un traitement antistatique, par décharge de magnétron, d'un film de formation de film (10) transporté dans le vide. Selon l'invention, ledit mécanisme de traitement antistatique de substrat comprend : un boîtier (51) dans lequel est introduit un gaz de décharge ; des électrodes de décharge linéaires (53) qui sont disposées perpendiculairement à la direction de transport du substrat dans le boîtier (51) et auxquelles est appliquée une tension prédéterminée ; et des aimants (54A) disposés à proximité des électrodes de décharge (53). Les aimants 54A sont disposés de manière à provoquer une décharge électrique en fonction de la distribution de la quantité de charge dans le film de formation de film.
(JA) 真空中でフィルム状の基板等に成膜等の処理を行う装置において、処理領域に影響を与えることなく、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる技術を提供する。本発明は、真空中で搬送される成膜用フィルム10に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構である。本発明では、放電ガスが導入されるハウジング51と、ハウジング51内において基板搬送方向に対して直交するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極53と、放電電極53の近傍に配置される磁石54Aとを有し、成膜用フィルム10における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように磁石54Aが配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)