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1. (WO2016185883) 半導体装置および撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/185883    国際出願番号:    PCT/JP2016/063037
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 26.04.2016
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
発明者: KOTOO, Kengo; (JP).
KOIKE, Kaoru; (JP)
代理人: MARUSHIMA, Toshikazu; (JP)
優先権情報:
2015-100742 18.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 半導体装置および撮像装置
要約: front page image
(EN)The present invention improves the joint strength between semiconductor chips. In this semiconductor device, a first semiconductor chip is provided with a first joining surface having a first insulating layer, a plurality of first pads to which is electrically connected a first inner layer circuit which is insulated by the first insulating layer, and a first metal layer of wire shape arranged to the outside of the plurality of first pads. A second semiconductor chip is provided with a second joining surface for joining to the first joining surface and having a second insulating layer, a plurality of second pads to which is electrically connected a second inner layer circuit which is arranged at a location facing the first pads and is insulated by the second insulating layer, and a second metal layer of wire shape arranged at a location facing the first metal layer. The widths of the first metal layer and the second metal layer are widths based on the joint strength of the first insulating layer and the second insulating layer in an area extending from the end of the first semiconductor chip to the first pads, and on the joint strength of the first metal layer and the second metal layer.
(FR)La présente invention améliore la résistance de jonction entre des puces de semi-conducteur. Dans le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention, une première puce de semi-conducteur comporte une première surface de jonction ayant une première couche isolante, une pluralité de premières plages à laquelle est connecté électriquement un premier circuit de couche interne qui est isolé par la première couche isolante, et une première couche métallique de forme de fil agencée à l'extérieur de la pluralité de premières plages. Une seconde puce de semi-conducteur comporte une seconde surface de jonction pour pour jonction à la première surface de jonction et ayant une seconde couche isolante, une pluralité de secondes plages auxquelles est connecté électriquement un second circuit de couche interne qui est agencé au niveau d'un emplacement tourné vers les premières plages et est isolé par la seconde couche isolante, et une seconde couche métallique de forme de fil agencée au niveau d'un emplacement tourné vers la première couche métallique. Les largeurs de la première couche métallique et de la seconde couche métallique sont les largeurs sur la base de la résistance de jonction de la première couche isolante et de la seconde couche isolante dans une zone s'étendant à partir de l'extrémité de la première puce de semi-conducteur vers les premières plages, et sur la résistance de jonction de la première couche métallique et de la seconde couche métallique.
(JA)半導体チップ間の接合強度を向上させる。 半導体装置において、第1の半導体チップは、第1の絶縁層と第1の絶縁層により絶縁される第1の内層回路が電気的に接続される複数の第1のパッドと複数の第1のパッドの外側に配置される線状の第1の金属層とを有する第1の接合面を備える。第2の半導体チップは、第2の絶縁層と第1のパッドに対向する位置に配置されるとともに第2の絶縁層により絶縁される第2の内層回路が電気的に接続される複数の第2のパッドと第1の金属層に対向する位置に配置される線状の第2の金属層とを有して第1の接合面と接合される第2の接合面を備える。第1の金属層および第2の金属層の幅を、第1の半導体チップの端部から第1のパッドに至る領域の第1の絶縁層および第2の絶縁層の接合強度と第1の金属層および第2の金属層の接合強度とに基づく幅にする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)