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1. (WO2016185771) 半導体光デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/185771    国際出願番号:    PCT/JP2016/057731
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 11.03.2016
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
発明者: YANASHIMA Katsunori; (JP).
TASAI Kunihiko; (JP)
代理人: YAMAMOTO Takahisa; (JP)
優先権情報:
2015-102563 20.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体光デバイス
要約: front page image
(EN)This semiconductor optical device has a laminated structure configured from an n-type first compound semiconductor layer, an active layer, and a p-type second compound semiconductor layer. The active layer has at least three barrier layers, and well layers sandwiched among the barrier layers, and when the bandgap energy of a barrier layer adjacent to the second compound semiconductor layer is represented by Egp-BR, the bandgap energy of a barrier layer between the well layers is represented by EgWell, and the bandgap energy of a barrier layer adjacent to the first compound semiconductor layer is represented by Egn-BR, formula of Egp-BR>Egn-BR>EgWell is satisfied.
(FR)L'invention concerne un dispositif optique à semi-conducteurs qui possède une structure stratifiée configurée à partir d'une première couche de semi-conducteur composé du type n, d'une couche active et d'une seconde couche de semi-conducteur composé du type p. La couche active possède au moins trois couches barrières, et des couches puits prises en sandwich entre les couches barrières, et quand l'énergie de bande interdite d'une couche barrière adjacente à la seconde couche de semi-conducteur composé est représentée par Egp-BR, l'énergie de bande interdite d'une couche barrière comprise entre les couches puits est représentée par EgWell et l'énergie de bande interdite d'une couche barrière adjacente à la première couche de semi-conducteur composé est représentée par Egn-BR, la formule Egp-BR > Egn-BR > EgWell est satisfaite.
(JA)半導体光デバイスは、n型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、p型を有する第2化合物半導体層から成る積層構造体を有しており;活性層は、少なくとも3層の障壁層、及び、障壁層によって挟まれた井戸層を有しており;第2化合物半導体層に隣接した障壁層のバンドギャップエネルギーをEgp-BR、井戸層間の障壁層のバンドギャップエネルギーをEgWell、第1化合物半導体層に隣接した障壁層のバンドギャップエネルギーをEgn-BRとしたとき、Egp-BR>Egn-BR>EgWellを満足する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)