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1. (WO2016185666) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/185666    国際出願番号:    PCT/JP2016/002043
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 15.04.2016
IPC:
H01L 23/40 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
発明者: ONODA, Kenji; (JP).
OOMAE, Syoichirou; (JP)
代理人: KIN, Junhi; (JP)
優先権情報:
2015-100822 18.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device according to the present invention is provided with a metal member (15), a first semiconductor chip (13), a second semiconductor chip (14), a first solder (24), and a second solder (25). The amount of heat generated by the first semiconductor chip is larger than the amount of heat generated by the second semiconductor chip. The second semiconductor chip is formed of a material having a larger Young's modulus than that of the first semiconductor chip. The first semiconductor chip has, on a surface facing the metal member, a first metal layer (13a) connected to the metal member via the first solder (24). The second semiconductor chip has, on a surface facing the metal member, a second metal layer (14a) connected to the metal member via the second solder (25). Of the second solder, the thickness corresponding to a part of at least an outer perimeter of the second metal layer is made to be larger than the maximum thickness of the first solder.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comporte un organe en métal (15), une première puce semi-conductrice (13), une deuxième puce semi-conductrice (14), une première brasure (24), et une deuxième brasure (25). La quantité de chaleur générée par la première puce semi-conductrice est supérieure à la quantité de chaleur générée par la deuxième puce semi-conductrice. La deuxième puce semi-conductrice est constituée d’un matériau dont le module de Young est supérieur à celui de la première puce semi-conductrice. La première puce semi-conductrice possède, sur une surface faisant face à l’organe de métal, une première couche de métal (13a) connectée à l’organe de métal par la première brasure (24). La deuxième puce semi-conductrice possède, sur une surface faisant face à l’organe de métal, une deuxième couche de métal (14a) connectée à l’organe de métal par la deuxième brasure (25). De la deuxième brasure, l’épaisseur correspondant à une partie d’au moins un périmètre extérieur de la deuxième couche de métal est réalisée de manière à être plus large que l’épaisseur maximale de la première brasure.
(JA)半導体装置は、金属部材(15)と、第1半導体チップ(13)と、第2半導体チップ(14)と、第1はんだ(24)と、第2はんだ(25)と、を備える。第1半導体チップの発熱量は第2半導体チップの発熱量よりも大きい。第2半導体チップは第1半導体チップよりもヤング率が大きい材料を用いて形成される。第1半導体チップは、金属部材との対向面に、第1はんだ(24)を介して金属部材に接続される第1金属層(13a)を有する。第2半導体チップは、金属部材との対向面に、第2はんだ(25)を介して金属部材に接続される第2金属層(14a)を有する。第2はんだのうち、第2金属層の少なくとも外周端の一部に対応する厚みが、第1はんだの最大厚みよりも厚くされている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)