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1. (WO2016185645) 窒化物半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/185645    国際出願番号:    PCT/JP2016/001276
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 09.03.2016
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: KAJITANI, Ryo; (--).
SHIBATA, Daisuke; (--).
TANAKA, Kenichiro; (--).
TAMURA, Satoshi; (--).
ISHIDA, Masahiro; (--).
UEDA, Tetsuzo; (--)
代理人: TOKUDA, Yoshiaki; (JP)
優先権情報:
2015-103772 21.05.2015 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置
要約: front page image
(EN)This nitride semiconductor device is provided with: a substrate (101) having a first main surface (130) and a second main surface (132); an n-type first nitride semiconductor layer (102), which is disposed on the first main surface (130), and which has a protruding section (112); a p-type second nitride semiconductor layer (103) that is disposed on the protruding section (112); a first anode electrode (108) that is disposed above the first nitride semiconductor layer (102) and the second nitride semiconductor layer (103); and a cathode electrode (110) that is disposed on the second main surface (132). The side surfaces of the protruding section (112) are tilted at a first angle with respect to the first main surface (130).
(FR)Le dispositif à semi-conducteur au nitrure selon la présente invention comporte : un substrat (101) ayant une première surface principale (130) et une seconde surface principale (132) ; une première couche semi-conductrice de nitrure de type n (102), qui est disposée sur la première surface principale (130), et qui a une section faisant saillie (112) ; une seconde couche semi-conductrice de nitrure de type p (103) qui est disposée sur la section faisant saillie (112) ; une première électrode d'anode (108) qui est disposée au-dessus de la première couche semi-conductrice de nitrure (102) et de la seconde couche semi-conductrice de nitrure (103) ; et une électrode de cathode (110) qui est disposée sur la seconde surface principale (132). Les surfaces latérales de la section faisant saillie (112) sont inclinées à un premier angle par rapport à la première surface principale (130).
(JA)本開示の窒化物半導体装置は、第1主面(130)および第2主面(132)を有する基板(101)と、第1主面(130)上に配置され、凸部(112)を有するn型の第1窒化物半導体層(102)と、凸部(112)の上に配置されたp型の第2窒化物半導体層(103)と、第1窒化物半導体層(102)および第2窒化物半導体層(103)の上方に配置された第1アノード電極(108)と、第2主面(132)上に配置されたカソード電極(110)とを備え、凸部(112)の側面が、第1主面(130)に対して、第1の角度で傾斜している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)