WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016185544) 半導体装置および電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/185544    国際出願番号:    PCT/JP2015/064222
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 18.05.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: MATSUMURA, Mieko; (JP).
SAKANO, Junichi; (JP).
TEGA, Naoki; (JP).
MORI, Yuki; (JP).
SHIMIZU, Haruka; (JP).
KOBAYASHI, Keisuke; (JP)
代理人: TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置および電力変換装置
要約: front page image
(EN)The present invention realizes a large-current and high-reliability power semiconductor device even when unit cells are reduced in size. In order to overcome the aforestated problem, the semiconductor device according to the present invention has: a plurality of p-type body regions (4) extending in a first direction; JFET regions (7) extending in the first direction and formed between p-type body regions adjacent to one another in a second direction that is orthogonal to the first direction; n+-type source regions (5) extending in the first direction and formed in the p-type body regions set away from the edge side surfaces of the p-type body regions; channel regions (8) extending in the first direction and formed in the upper layer sections of the p-type body regions between the edge side surfaces of the p-type body regions and the edge side surfaces of the n+-type source regions; and a plurality of connection holes (13) and set away from each other in the first direction and positioned in the p-type body regions in plan view, gate electrodes (11) being formed on the channel regions and between the connection holes.
(FR)La présente invention permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteur de puissance de haute fiabilité et à courant élevé, même lorsque des cellules unitaires sont de taille réduite. Afin de résoudre le problème indiqué ci-dessus, le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention possède : une pluralité de régions de corps de type p (4) s'étendant dans une première direction ; des régions de transistor à effet de champ à jonction (7) s'étendant dans la première direction et formées entre des régions de corps de type p adjacentes les unes aux autres dans une seconde direction qui est orthogonale à la première direction ; des régions de source de type n+ (5) s'étendant dans la première direction et formées dans les régions de corps de type p placées à distance des surfaces latérales de bord des régions de corps de type p ; des régions de canal (8) s'étendant dans la première direction et formées dans les sections de couche supérieure des régions de corps de type p entre les surfaces latérales de bord des régions de corps de type p et les surfaces latérales de bord des régions de source de type n+ ; et une pluralité de trous de connexion (13) placés à distance les uns des autres dans la première direction et positionnés dans les régions de corps de type p dans une vue en plan, des électrodes de grille (11) étant formées sur les régions de canal et entre les trous de connexion.
(JA)単位セルを縮小しても、大電流で、かつ高信頼のパワー半導体装置を実現する。上記課題を解決するために、本発明による半導体装置は、第1方向に延在する複数のp型ボディ領域(4)と、第1方向に延在し、第1方向と直交する第2方向に互いに隣り合うp型ボディ領域の間に形成されたJFET領域(7)と、第1方向に延在し、p型ボディ領域の端部側面と離間してp型ボディ領域内に形成されたn型ソース領域(5)と、第1方向に延在し、p型ボディ領域の端部側面とn型ソース領域の端部側面との間のp型ボディ領域の上層部に形成されたチャネル領域(8)と、平面視においてp型ボディ領域内に位置し、第1方向に互いに離間した複数の接続孔(13)を有し、チャネル領域上及び複数の接続孔の間にゲート電極(11)が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)