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1. (WO2016185526) パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール
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国際公開番号:    WO/2016/185526    国際出願番号:    PCT/JP2015/064081
国際公開日: 24.11.2016 国際出願日: 15.05.2015
H01L 29/872 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: YASUI Kan; (JP).
MATSUSHIMA Hiroyuki; (JP).
OKINO Hiroyuki; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
(JA) パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール
要約: front page image
(EN)The present invention provides a power semiconductor element, which has a SiC-SBD structure, and which is capable of improving surge current withstand without generating conduction deterioration and recovery loss, and a power semiconductor module using the power semiconductor element. In a Schottky barrier diode formed of silicon carbide, an active region includes: a first conductivity-type first semiconductor region (1) constituting, between a first electrode and the first semiconductor region, a first Schottky junction having a plurality of linear patterns; and a second conductivity-type second semiconductor region (2), which is adjacent to the first Schottky junction, and is connected to the first electrode. At the boundary section between the active region and a peripheral region, a second Schottky junction (16), which is configured from the first electrode and the first semiconductor region, and which has at least one annular pattern surrounding the linear patterns, is provided, the second semiconductor region is adjacent to the second Schottky junction, and is connected to the first electrode, and in a forward bias state, the first and second Schottky junctions become conductive sections, and the second semiconductor region becomes a non-conductive section.
(FR)La présente invention concerne un élément semi-conducteur de puissance, qui a une structure SiC-SBD, et qui est capable d'améliorer le courant de surtension supporté sans générer de détérioration de la conduction ni de perte de récupération, et un module semi-conducteur de puissance utilisant l'élément semi-conducteur de puissance. Dans une diode à barrière de Schottky constituée de carbure de silicium, une région active comprend : une première région semi-conductrice d'un premier type de conductivité (1) constituant, entre une première électrode et la première région semi-conductrice, une première jonction Schottky ayant une pluralité de motifs linéaires; et une seconde région semi-conductrice d'un second type de conductivité (2), qui est adjacente à la première jonction Schottky, et est connectée à la première électrode. Une seconde jonction Schottky (16), qui est configurée à partir de la première électrode et de la première région semi-conductrice, et qui présente au moins un motif annulaire entourant les motifs linéaires, est disposée au niveau de la section limite entre la région active et une région périphérique, la seconde région semi-conductrice est adjacente à la seconde jonction Schottky, et est connectée à la première électrode, et dans un état de polarisation directe, les première et seconde jonctions Schottky deviennent des sections conductrices, et la seconde région semi-conductrice devient une section non conductrice.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)