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1. (WO2016182045) ドライエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/182045    国際出願番号:    PCT/JP2016/064235
国際公開日: 17.11.2016 国際出願日: 13.05.2016
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
発明者: MOTOMURA Taisei; (JP).
KASASHIMA Yuji; (JP).
UESUGI Fumihiko; (JP).
TAKAHASHI Kazunori; (JP).
ANDO Akira; (JP)
代理人: ARIYOSHI Shuichiro; (JP)
優先権情報:
2015-098165 13.05.2015 JP
発明の名称: (EN) DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE
(JA) ドライエッチング方法
要約: front page image
(EN)Provided is a dry etching method with which it is possible to achieve an excellent etching rate and with which it is possible to machine with a high aspect ratio. A mean free path of ions generated in a plasma generating chamber is made longer than a sheath thickness, and a gas is supplied to a vacuum chamber 2 such that steady gas pressure lies in the range of 0.1-1.0 Pa and the total amount of gas supplied in one minute is at least 1.0×1017 cm-3. Further, the ions are led to a material to be processed within the vacuum chamber 2. In addition, the plasma density in the vicinity of the material to be processed is at least 1018 m-3, and the gas is radicalized to etch a surface to be processed of the material to be processed.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure sèche à l'aide duquel il est possible d'obtenir une excellente vitesse de gravure et à l'aide duquel il est possible d'usiner selon un rapport d'aspect élevé. Un chemin libre moyen d'ions produits dans une chambre de production de plasma est rendue plus longue qu'une épaisseur de gaine, et un gaz est apporté à une chambre à vide 2 de sorte qu'une pression de gaz consistante se situe dans la plage de 0,1 à 1,0 Pa et que la quantité totale de gaz apporté en une minute est au moins de 1,0×1017 cm-3. En outre, les ions sont amenés jusqu'à un matériau à traiter dans la chambre à vide 2. En outre, la densité de plasma dans les environs du matériau à traiter est au moins de 1018 m-3, et le gaz est radicalisé pour graver une surface à traiter du matériau à traiter.
(JA)優れたエッチングレートを実現可能であり、かつ、高アスペクト比の加工が可能なドライエッチング方法を提供する。プラズマ発生室に生じるイオンの平均自由行程をシース厚よりも長くして、定常ガス圧が0.1~1.0Paの範囲で、かつ、1分間に供給するガス総量が1.0×1017cm-3 以上となる様に、真空チャンバ2にガスを供給する。また、イオンを真空チャンバ2内の被処理材に誘導する。更に、被処理材の近傍のプラズマ密度を1018-3 以上とし、ガスをラジカル化して被処理材の被処理面をエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)