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1. (WO2016181862) 炭化珪素半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2016/181862    国際出願番号:    PCT/JP2016/063379
国際公開日: 17.11.2016 国際出願日: 28.04.2016
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: SAITOH, Yu; (JP).
TSUNO, Takashi; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP).
UCHIDA, Kosuke; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2015-098560 13.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約: front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor device comprises a silicon carbide substrate, a gate insulating film and a gate electrode. A first main surface is provided with a trench that is defined by lateral surfaces, which penetrate a third impurity region and a second impurity region and reach a first impurity region, and a bottom surface which is continued to the lateral surfaces. This silicon carbide semiconductor device is configured so that the absolute value of the difference between a first threshold voltage and a second threshold voltage is 0.25 V or less in cases where a stress test, in which a gate voltage of -10V and/or 20 V is applied to the gate electrode for 100 hours at a temperature of 175°C, is carried out and where the first threshold voltage is the threshold voltage before the stress test and the second threshold voltage is the threshold voltage after the stress test. This silicon carbide semiconductor device is configured so that the second threshold voltage is 2.5 V or more.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium qui comprend un substrat de carbure de silicium, un film isolant de grille et une électrode de grille. Une première surface principale comporte une tranchée qui est définie par des surfaces latérales, qui pénètrent une troisième région d'impureté et une deuxième région d'impureté et atteint une première région d'impureté, et une surface inférieure qui se poursuit vers les surfaces latérales. Le dispositif semi-conducteur en carbure de silicium selon la présente invention est configuré de telle sorte que la valeur absolue de la différence entre une première tension de seuil et une seconde tension de seuil est de 0,25 V au maximum dans des cas où un essai de contrainte, dans lequel une tension de grille de -10 V et/ou 20 V est appliquée à l'électrode de grille pendant 100 heures à une température de 175 °C, est réalisé et dans lequel la première tension de seuil est la tension de seuil avant l'essai de contrainte et la seconde tension de seuil est la tension de seuil après l'essai de contrainte. Le dispositif semi-conducteur en carbure de silicium selon la présente invention est configuré de telle sorte que la seconde tension de seuil est d'au moins 2,5 V.
(JA)炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有している。第1主面には、第3不純物領域および第2不純物領域を貫通して第1不純物領域に至る側面と、側面と連続して設けられた底部とにより規定されるトレンチが設けられている。175℃の温度下において、ゲート電極に対して-10Vおよび20Vの少なくともいずれかのゲート電圧を100時間印加するストレス試験を行う場合に、ストレス試験を行う前の閾値電圧を第1の閾値電圧とし、ストレス試験を行った後の閾値電圧を第2の閾値電圧とした場合、第1の閾値電圧と第2の閾値電圧との差の絶対値は、0.25V以下となるように構成されている。第2の閾値電圧は、2.5V以上となるように構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)