WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016181681) 電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/181681    国際出願番号:    PCT/JP2016/055275
国際公開日: 17.11.2016 国際出願日: 23.02.2016
予備審査請求日:    28.06.2016    
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: TANIMOTO, Yoshimi; (--).
KOYAMA, Junichiroh; (--).
FUJITA, Koichiro; (--)
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; (JP)
優先権情報:
2015-097666 12.05.2015 JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)This field effect transistor is provided with: a nitride semiconductor laminate (104); a source electrode (111); a drain electrode (112); a gate electrode (109); a first insulating film (106); a second insulating film (107); and a gate insulating film (108). The first insulating film (106) has end edge portions (116a, 116b) below the gate electrode (109). The angles (211, 212) between the interfaces (201, 202) between projected portions (121a, 121b) of the end edge portions (116a, 116b) and the gate insulating film (108) and the interface (205) between the nitride semiconductor laminate (104) and the first insulating film (106) are 30° or less.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ comportant : un stratifié de semiconducteur au nitrure (104); une électrode de source (111); une électrode de drain (112); une électrode de grille (109); un premier film isolant (106); un second film isolant (107); et un film isolant de grille (108). Le premier film isolant (106) a des parties de bord d'extrémité (116a, 116b) au-dessous de l'électrode de grille (109). Les angles (211, 212) entre les interfaces (201, 202) entre les parties en saillie (121a, 121b) des parties de bord d'extrémité (116a, 116b) et le film isolant de grille (108) et l'interface (205) entre le stratifié de semi-conducteur au nitrure (104) et le premier film isolant (106) sont inférieurs ou égaux à 30°.
(JA)電界効果トランジスタは、窒化物半導体積層体(104)と、ソース電極(111)と、ドレイン電極(112)と、ゲート電極(109)と、第1絶縁膜(106)と、第2絶縁膜(107)と、ゲート絶縁膜(108)とを備えている。第1絶縁膜(106)は、ゲート電極(109)の下に端縁部(116a,116b)を有し、端縁部(116a,116b)の突出部(121a,121b)とゲート絶縁膜(108)の界面(201,202)と、窒化物半導体積層体(104)と第1絶縁膜(106)の界面(205)とのなす角度(211,212)が30°以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)