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1. (WO2016181609) 半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/181609    国際出願番号:    PCT/JP2016/001983
国際公開日: 17.11.2016 国際出願日: 12.04.2016
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: NAKAO, Yoshiaki; (--).
KOUNO, Kazuyuki; (--)
代理人: KAMATA, Kenji; (JP)
優先権情報:
2015-098293 13.05.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor storage device (1000) wherein: a first selection line (108) and a second selection line (109) are provided; a first storage element (100) of a plurality of storage elements has a first upper electrode (101) and a first lower electrode (103); the first upper electrode (101) is connected to the first selection line (108); the first lower electrode (103) is connected to the second selection line (109); a second storage element (104) of the storage elements has a second upper electrode (105) and a second lower electrode (107), said second storage element being disposed adjacent to the first storage element (100); the second upper electrode (105) is connected to the first selection line (108); and the second lower electrode (107) is connected to the first selection line (108) not via second resistors (106) of storage elements excluding the second storage element (104).
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage à semi-conducteur (1000) dans lequel : une première ligne de sélection (108) et une seconde ligne de sélection (109) sont utilisées ; un premier élément de stockage (100) d'une pluralité d'éléments de stockage comporte une première électrode supérieure (101) et une première électrode inférieure (103) ; la première électrode supérieure (101) est connectée à la première ligne de sélection (108) ; la première électrode inférieure (103) est connectée à la seconde ligne de sélection (109) ; un second élément de stockage (104) des éléments de stockage comporte une seconde électrode supérieure (105) et une seconde électrode inférieure (107), ledit second élément de stockage étant disposé de manière adjacente au premier élément de stockage (100) ; la seconde électrode supérieure (105) est connectée à la première ligne de sélection (108) ; et la seconde électrode inférieure (107) est connectée à la première ligne de sélection (108) non par l'intermédiaire de secondes résistances (106) d'éléments de stockage à l'exclusion du second élément de stockage (104).
(JA)半導体記憶装置(1000)は、第1の選択線(108)と、第2の選択線(109)と、を備え、複数の記憶素子のうち第1の記憶素子(100)は、第1の上部電極(101)および第1の下部電極(103)を有し、第1の上部電極(101)は、第1の選択線(108)と接続され、第1の下部電極(103)は、第2の選択線(109)と接続され、複数の記憶素子のうち、第1の記憶素子(100)に隣接して配置される第2の記憶素子(104)は、第2の上部電極(105)および第2の下部電極(107)を有し、第2の上部電極(105)は、第1の選択線(108)と接続され、第2の下部電極(107)は、第2の記憶素子(104)以外の記憶素子の第2の抵抗体(106)を介さずに第1の選択線(108)と接続されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)