WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016181508) 電子線解析方法、装置、および電子顕微鏡
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/181508    国際出願番号:    PCT/JP2015/063667
国際公開日: 17.11.2016 国際出願日: 12.05.2015
IPC:
G01N 23/04 (2006.01), G01N 23/20 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: ANAN Yoshihiro; (JP).
KOGUCHI Masanari; (JP)
代理人: SEIRYO I.P.C.; 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD AND DEVICE FOR ELECTRON BEAM ANALYSIS, AND ELECTRON MICROSCOPE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR ANALYSE PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS, ET MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子線解析方法、装置、および電子顕微鏡
要約: front page image
(EN)The present invention has an electron optical system for radiating an electron beam to a sample, a first detector for detecting a projection image from the electron beam radiated to the sample, a second detector for detecting a diffraction image from the electron beam radiated to the sample, a sample holder for retaining the sample so that the irradiation angle of the electron beam can be changed, and a control system for controlling the electron optical system and the sample holder, the control system measuring the amount of visual field deviation from the projection image before and after a change in the irradiation angle by the sample holder, controlling the irradiation position of the electron beam on the sample on the basis of the amount of visual field deviation, and performing control so that a diffraction image is acquired at the controlled irradiation position.
(FR)La présente invention comprend un système optique à électrons pour rayonner un faisceau d'électrons sur un échantillon, un premier détecteur pour détecter une image de projection à partir du faisceau d'électrons rayonné sur l'échantillon, un second détecteur pour détecter une image de diffraction à partir du faisceau d'électrons rayonné sur l'échantillon, un porte-échantillon pour retenir l'échantillon de sorte que l'angle de rayonnement du faisceau d'électrons peut être modifié, et un système de commande pour commander le système optique à électrons et le porte-échantillon, le système de commande mesurant la quantité de déviation de champ visuel à partir de l'image de projection avant et après un changement de l'angle de rayonnement par le porte-échantillon, commandant la position de rayonnement du faisceau d'électrons sur l'échantillon sur la base de la quantité de déviation de champ visuel, et effectuant une commande de telle sorte qu'une image de diffraction est acquise au niveau de ladite position de rayonnement commandée.
(JA)電子線を試料に照射する電子光学系と、試料に照射された電子線から、投影像を検出する第一の検出器と、試料に照射された電子線から、回折像を検出する第二の検出器と、電子線の照射角度を変化可能に、試料を保持する試料ホルダーと、電子光学系および試料ホルダーを制御する制御系を有し、制御系は、試料ホルダーによる照射角度の変化の前後における、投影像から視野ずれ量を測定し、視野ずれ量に基づいて、電子線の試料への照射位置を制御し、制御された照射位置において、回折像を取得するように制御を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)