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1. (WO2016178370) 薄膜電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/178370    国際出願番号:    PCT/JP2016/062674
国際公開日: 10.11.2016 国際出願日: 21.04.2016
IPC:
H05B 33/10 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01)
出願人: KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 7-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
発明者: KONDO Yoshikazu; (JP).
TAKAHASHI Nobuaki; (JP)
代理人: ISONO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.; Hulic Toranomon Building, 1-18, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2015-094978 07.05.2015 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a thin-film electronic device manufacturing method that enables, when continuously manufacturing multiple thin-film electronic devices on a long resin substrate (30) by using a mask (22), manufacturing while suppressing generation of static electricity through charging caused by separation of the resin substrate (30) and the mask (22). The thin-film electronic device manufacturing method is characterized by continuously manufacturing multiple thin-film electronic devices in the length direction of the resin substrate (30) by depositing, on one of the surfaces of the long resin substrate (30), a patterned functional film through repeating of attaching/detaching of the mask (22) for forming a pattern in a vacuum, wherein, before or at the same time the functional film is deposited, a conductive film (23, 31) is formed on an area on the deposition surface where the thin-film electronic devices are not formed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif électronique à couches minces qui permet, lors de la fabrication en continu de multiples dispositifs électroniques à couches minces sur un substrat (30) en résine long à l'aide d'un masque (22), la fabrication tout en supprimant la génération d'électricité statique par le biais d'une charge provoquée du fait de la séparation du substrat (30) en résine et du masque (22). Le procédé de fabrication de dispositif électronique à couches minces est caractérisé en ce qu'il consiste à fabriquer en continu une pluralité de dispositifs électroniques à couches minces dans le sens de la longueur du substrat (30) en résine par dépôt, sur l'une des surfaces du substrat (30) en résine long, d'un film fonctionnel à motifs par fixation/séparation répétées du masque (22) en vue de former un motif dans un vide, un film conducteur (23, 31) étant formé, préalablement ou simultanément au dépôt du film fonctionnel, sur une zone sur la surface de dépôt au niveau de laquelle ne sont pas formés les dispositifs électroniques à couches minces.
(JA)長尺の樹脂基板(30)上にマスク(22)を用いて複数の薄膜電子デバイスを連続して製造する際に、樹脂基材(30)とマスク(22)の剥離帯電による静電気の発生を抑制して製造することが可能な薄膜電子デバイスの製造方法を提供する。長尺の樹脂基板(30)の一方の面上に、真空下でパターン形成用のマスク(22)の脱着を繰り返すことによってパターン状の機能膜を成膜して、前記樹脂基板(30)の長さ方向に複数の薄膜電子デバイスを連続して製造する薄膜電子デバイスの製造方法であって、前記機能膜の成膜前または成膜と同時に、前記成膜面上の前記薄膜電子デバイスが形成されない領域に、導電膜(23、31)を形成することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)