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1. (WO2016175152) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/175152    国際出願番号:    PCT/JP2016/062810
国際公開日: 03.11.2016 国際出願日: 22.04.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
発明者: OKADA, Shigenari; (JP).
NAGATA, Masaki; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; (JP)
優先権情報:
2015-090576 27.04.2015 JP
2015-090577 27.04.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device includes: a semiconductor layer; a gate trench formed in the semiconductor layer; a first insulating film that is disposed on the inner surface of the gate trench; a gate electrode that is disposed in the gate trench via the first insulating film; and a source layer, a body layer, and a drain layer, which are disposed on the sides of the gate trench. At least at the bottom portion of the gate trench, the first insulating film includes, in the film thickness direction from the inner surface of the gate trench, a first portion and a second portion that has a lower film denseness than the first portion.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une couche semi-conductrice; une tranchée de grille formée dans la couche semi-conductrice; un premier film isolant qui est disposé sur la surface interne de la tranchée de grille; une électrode grille qui est disposée dans la tranchée de grille par l'intermédiaire du premier film isolant; une couche de source, une couche de corps et une couche de drain, qui sont disposées sur les côtés de la tranchée de grille. Au moins au niveau de la partie inférieure de la tranchée de grille, le premier film isolant comprend, dans le sens de l'épaisseur du film à partir de la surface interne de la tranchée de grille, une première partie et une seconde partie, dont la densité de film est inférieure à celle de la première partie.
(JA)本発明の半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に形成されたゲートトレンチと、前記ゲートトレンチの内面に配置された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を介して前記ゲートトレンチに配置されたゲート電極と、前記ゲートトレンチの側方に配置されたソース層、ボディ層およびドレイン層とを含み、前記第1絶縁膜は、少なくとも前記ゲートトレンチの底部において前記ゲートトレンチの内面から膜厚方向に、第1部分および前記第1部分よりも膜の緻密度が低い第2部分を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)