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1. (WO2016175034) トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/175034    国際出願番号:    PCT/JP2016/061978
国際公開日: 03.11.2016 国際出願日: 14.04.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: HIRANO Rii; (JP).
YAMAGATA Yusuke; (JP).
NAKAGAWA Naoki; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
優先権情報:
2015-091085 28.04.2015 JP
発明の名称: (EN) TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
要約: front page image
(EN)The present art relates to: a transistor, which uses an oxide semiconductor for a channel layer, and is capable of suppressing fluctuation of a threshold voltage; and a thin film transistor substrate and a liquid crystal display device, which are provided with the transistor. Disclosed is a transistor wherein an overlapping length a, which is the overlapping length of a source electrode 16 and a channel protection film 5 in the direction toward a drain electrode 17 from the source electrode 16 in plan view, is longer than an overlapping length b, which is the overlapping length of the drain electrode 17 and the channel protection film 5 in the direction toward the source electrode 16 from the drain electrode 17 in plan view.
(FR)La présente technique concerne : un transistor, qui utilise un semi-conducteur à oxyde pour une couche de canal et qui est capable d’éliminer les fluctuations d’une tension de seuil ; et un substrat de transistor à couches minces et un dispositif d’affichage à cristaux liquides, qui sont dotés du transistor. L’invention concerne un transistor dans lequel une longueur de chevauchement a, qui est la longueur de chevauchement d’une électrode de source 16 et d’un film de protection de canal 5 dans la direction d’une électrode de drain 17 partant de l’électrode de source 16, dans une vue en plan, est supérieure à une longueur de chevauchement b, qui est la longueur de chevauchement de l’électrode de drain 17 et du film de protection de canal 5 dans la direction de l’électrode de source 16 partant de l’électrode de drain 17, dans une vue en plan.
(JA)本技術は、酸化物半導体をチャネル層に用い、かつ、しきい値電圧の変動を抑制することができるトランジスタ、当該トランジスタを備える薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置に関する。トランジスタは、ソース電極16からドレイン電極17に向かう方向における、ソース電極16とチャネル保護膜5とが平面視において重なる長さであるオーバーラップ長aが、ドレイン電極17からソース電極16に向かう方向における、ドレイン電極17とチャネル保護膜5とが平面視において重なる長さであるオーバーラップ長bよりも長い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)