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1. (WO2016174908) パワーモジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/174908    国際出願番号:    PCT/JP2016/055320
国際公開日: 03.11.2016 国際出願日: 24.02.2016
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: YAMADA, Masaaki; (JP).
KAWAHARA, Fumikiyo; (JP)
代理人: SAKAI, Masatoshi; (JP)
優先権情報:
2015-091961 28.04.2015 JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE
(FR) MODULE D'ALIMENTATION
(JA) パワーモジュール
要約: front page image
(EN)An electrode 141b is formed on an upper surface of an insulating substrate 14a constituting a main substrate 14, and electrodes 161b and 162b are formed on an upper surface and lower surface, respectively, of an insulating substrate 16a constituting a sub-substrate 16. A resist film is formed on the upper surface of the insulating substrate 14a constituting the main substrate 14 so that the electrode 141b is at least partially exposed. The sub-substrate 16 is layered onto the main substrate 14 so that the electrode 162b is in surface contact with the electrode 141b. Power semiconductor elements 18a, 18b are mounted on the main substrate 14. At this time, the power semiconductor element 18a is connected between the electrode 161b and a separate electrode (not shown), and the power semiconductor element 18b is connected between the electrode 141b (162b) and an electrode 143b.
(FR)Une électrode 141b est formée sur une surface supérieure d'un substrat isolant 14a constituant un substrat principal 14, et des électrodes 161b et 162b sont formées sur une surface supérieure et une surface inférieure, respectivement, d'un substrat isolant 16a constituant un sous-substrat 16. Un film de réserve est formé sur la surface supérieure du substrat isolant 14a constituant le substrat principal 14, de telle sorte que l'électrode 141b est au moins partiellement exposée. Le sous-substrat 16 est mis en couche sur le substrat principal 14 de sorte que l'électrode 162b est en contact de surface avec l'électrode 141b. Des éléments de semi-conducteur de puissance 18a, 18b sont montés sur le substrat principal 14. À ce moment, l'élément de semi-conducteur de puissance 18a est connecté entre l'électrode 161b et une électrode séparée (non représentée), et l'élément de semi-conducteur de puissance 18b est connecté entre l'électrode 141b (162b) et une électrode 143b.
(JA)電極141bはメイン基板14をなす絶縁性基板14aの上面に形成され、電極161bおよび162bはサブ基板16をなす絶縁性基板16aの上面および下面にそれぞれ形成される。メイン基板14をなす絶縁性基板14aの上面にはまた、電極141bの少なくとも一部が露出するように、レジスト膜が形成される。サブ基板16は、電極162bが電極141bと面接触するように、メイン基板14に積層される。パワー半導体素子18aおよび18bは、メイン基板14に実装される。このとき、パワー半導体素子18aは電極161bと図示しない別の電極との間に接続され、パワー半導体素子18bは電極141b(162b)と電極143bの間に接続される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)