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1. (WO2016174733) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/174733    国際出願番号:    PCT/JP2015/062805
国際公開日: 03.11.2016 国際出願日: 28.04.2015
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
発明者: SAITO Haruhisa; (JP)
代理人: TANAI Sumio; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device has a plurality of first connecting sections, a plurality of second connecting sections, a first substrate, and a second substrate. Each of the first connecting sections has a first bump and a first base electrode. Each of the second connecting sections has a second bump and a second base electrode. A first surface of the first substrate includes a first region where the first connecting sections are disposed, and a second region where the second connecting sections are disposed. A second surface of the second substrate includes a third region where the first connecting sections are disposed, and a fourth region where the second connecting sections are disposed. In the first surface, the second region surrounds the first region. In the second surface, the fourth region surrounds the third region. The second base electrode height in the thickness direction of the first substrate is more than the first base electrode height in the thickness direction.
(FR)Ce dispositif à semi-conducteur a une pluralité de premières sections de connexion, une pluralité de secondes sections de connexion, un premier substrat et un second substrat. Chacune des premières sections de connexion a une première bosse et une première électrode de base. Chacune des secondes sections de connexion a une seconde bosse et une seconde électrode de base. Une première surface du premier substrat comprend une première région où sont disposées les premières sections de connexion, et une deuxième région où sont disposées les secondes sections de connexion. Une seconde surface du second substrat comprend une troisième région où sont disposées les premières sections de connexion, et une quatrième région où sont disposées les secondes sections de connexion. Dans la première surface, la deuxième région entoure la première région. Dans la seconde surface, la quatrième région entoure la troisième région. La hauteur de la seconde électrode de base dans le sens de l'épaisseur du premier substrat est supérieure à la hauteur de la première électrode de base dans le sens de l'épaisseur.
(JA)半導体装置は、複数の第1の接続部と、複数の第2の接続部と、第1の基板と、第2の基板とを有する。前記複数の第1の接続部のそれぞれは、第1のバンプと第1の下地電極とを有する。前記複数の第2の接続部のそれぞれは、第2のバンプと第2の下地電極とを有する。前記第1の基板の第1の面は、前記複数の第1の接続部が配置される第1の領域と、前記複数の第2の接続部が配置される第2の領域とを含む。前記第2の基板の第2の面は、前記複数の第1の接続部が配置される第3の領域と、前記複数の第2の接続部が配置される第4の領域とを含む。前記第1の面において、前記第2の領域は前記第1の領域を囲む。前記第2の面において、前記第4の領域は前記第3の領域を囲む。前記第1の基板の厚さ方向における前記第2の下地電極の高さは、前記厚さ方向における前記第1の下地電極の高さよりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)