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1. (WO2016171184) ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、および電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/171184    国際出願番号:    PCT/JP2016/062544
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 20.04.2016
IPC:
B32B 9/00 (2006.01), B32B 27/00 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01)
出願人: LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
発明者: SUZUKI Yuta; (JP).
IWAYA Wataru; (JP)
代理人: OHISHI Haruhito; (JP)
優先権情報:
2015-087371 22.04.2015 JP
発明の名称: (EN) GAS BARRIER FILM, ELECTRONIC DEVICE MEMBER, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) FILM BARRIÈRE CONTRE LES GAZ, ÉLÉMENT DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、および電子デバイス
要約: front page image
(EN)The present invention is: a gas barrier film having a substrate film and a gas barrier layer formed on the substrate film and obtained by reforming a layer containing a polysilazane compound, wherein the gas barrier film is characterized in that the water vapor permeability is 0.100g/(m2•day) or below, and in a 60°C/90% RH argon gas atmosphere the amount of hydrogen gas released from the gas barrier layer is no greater than 5.5 μg/cm2 of the gas barrier film; an electronic device member comprising the gas barrier film; and an electronic device provided with the electronic device member. The present invention provides a gas barrier film having a gas barrier layer which has excellent gas barrier properties and minimal outgassing, an electronic device member comprising the gas barrier film, and an electronic device provided with the electronic device member.
(FR)La présente invention concerne: un film barrière contre les gaz comprenant un film de substrat et une couche barrière contre les gaz formée sur le film de substrat et obtenue par le reformage d'une couche contenant un composé polysilazane, le film barrière contre les gaz étant caractérisé en ce que la perméabilité à la vapeur d'eau est inférieure ou égale à 0,100g/(m2•jour), et dans une atmosphère de gaz argon à 60°C/90% RH la quantité de gaz hydrogène libérée de la couche barrière contre les gaz n'est pas supérieure à 5,5 μg/cm2 du film barrière contre les gaz; un élément de dispositif électronique comprenant le film barrière contre les gaz; et un dispositif électronique doté de l'élément de dispositif électronique. La présente invention concerne un film barrière contre les gaz comprenant une couche barrière contre les gaz qui présente d'excellentes propriétés de barrière contre les gaz et un dégazage minimal, un élément de dispositif électronique comprenant le film barrière contre les gaz et un dispositif électronique doté de l'élément de dispositif électronique.
(JA)本発明は、基材フィルムと、該基材フィルム上に形成されたポリシラザン系化合物を含有する層を改質してなるガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、水蒸気透過率が0.100g/(m・day)以下であり、かつ、60℃、相対湿度90%のアルゴンガス雰囲気下において、前記ガスバリア層から放出される水素ガスの量が、ガスバリアフィルム1cmあたり5.5μg以下であることを特徴とするガスバリアフィルム、このガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスである。本発明によれば、ガスバリア性に優れ、かつ、アウトガスの発生が抑制されたガスバリア層を有するガスバリアフィルム、このガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)