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1. (WO2016171170) 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/171170    国際出願番号:    PCT/JP2016/062513
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 20.04.2016
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), C09J 5/00 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 33/52 (2010.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimo-hozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: EBE, Yuki; (JP).
ISHII, Jun; (JP)
代理人: OKAMOTO, Hiroyuki; (JP)
優先権情報:
2015-089594 24.04.2015 JP
2016-083449 19.04.2016 JP
発明の名称: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEALED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SCELLÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, a manufacturing method for a sealed semiconductor element comprises the following: a sealing step in which, a semiconductor element, which has been subjected to pressure-sensitive adhesion to a pressure-sensitive adhesive sheet configured such that the pressure-sensitive adhesion strength thereof is reduced by processing, is sealed by a sealing layer containing a thermosetting resin, and a sealed semiconductor element is thereby obtained, the sealed semiconductor element being provided with the semiconductor element and the sealing layer that seals the semiconductor element; a first heating step, following the sealing step, for heating the sealing layer so that imparted to the sealing layer is a thermal history H1 which is less than a thermal history H0 at which the sealing layer is completely cured; a reducing step, following the first heating step, for reducing the pressure-sensitive adhesion strength of the pressure-sensitive adhesive sheet by processing; a second heating step, following the reducing step, for heating the sealing layer so that imparted to the sealing layer is a thermal history H2 which is the same as or greater than the thermal history H0 at which the sealing layer is completely cured; and a detachment step for detaching the sealed semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive sheet.
(FR)Dans la présente invention, un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur scellé comprend les étapes suivantes : une étape d'étanchéité au cours de laquelle un élément semi-conducteur, qui a été soumis à une adhésion sensible à la pression sur une feuille adhésive sensible à la pression conçue de telle sorte que sa force d'adhésion sensible à la pression est réduite par traitement, est scellé par une couche d'étanchéité contenant une résine thermodurcissable, et un élément semi-conducteur scellé est ainsi obtenu, l'élément semi-conducteur scellé étant doté de l'élément semi-conducteur et de la couche d'étanchéité qui scelle l'élément semi-conducteur ; une première étape de chauffage, à la suite de l'étape d'étanchéité, permettant de chauffer la couche d'étanchéité, de telle sorte que la couche d'étanchéité se voit conférer une histoire thermique H1 qui est inférieure à une histoire thermique H0 à laquelle la couche d'étanchéité est entièrement durcie ; une étape de réduction, à la suite de la première étape de chauffage, permettant de réduire la force d'adhésion sensible à la pression de la feuille adhésive sensible à la pression par traitement ; une seconde étape de chauffage, à la suite de l'étape de réduction, permettant de chauffer la couche d'étanchéité, de telle sorte que la couche d'étanchéité se voit conférer une histoire thermique H2 qui est supérieure ou égale à l'histoire thermique H0 à laquelle la couche d'étanchéité est entièrement durcie ; et une étape de détachement permettant de détacher l'élément semi-conducteur scellé de la feuille adhésive sensible à la pression.
(JA)封止半導体素子の製造方法は、処理によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着シートに感圧接着された半導体素子を、熱硬化性樹脂を含有する封止層によって、封止して、半導体素子と、半導体素子を封止する封止層とを備える封止半導体素子を得る封止工程、封止工程の後に、封止層が完全硬化する熱履歴H0より少ない熱履歴H1が封止層に付与されるように、封止層を加熱する第1加熱工程、第1加熱工程の後に、処理によって感圧接着シートの感圧接着力を低減させる低減工程、低減工程の後に、封止層が完全硬化する熱履歴H0と同じまたはそれより多い熱履歴H2が前記封止層に付与されるように、封止層を加熱する第2加熱工程、および、封止半導体素子を、感圧接着シートから剥離する剥離工程を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)