WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016171157) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/171157    国際出願番号:    PCT/JP2016/062471
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 20.04.2016
IPC:
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 51/44 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
発明者: ARANAMI, Junji; (JP)
優先権情報:
2015-088909 24.04.2015 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)A photoelectric conversion device according to one embodiment of the present invention comprises an electrode layer, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an intermediate layer. The first semiconductor layer is disposed on the electrode layer. The first semiconductor layer is a p-type or i-type semiconductor layer comprising primarily a chalcopyrite compound or a perovskite compound. The second semiconductor layer is an n-type semiconductor layer and is disposed on the first semiconductor layer. The intermediate layer is positioned at the interface of the first semiconductor layer and second semiconductor layer and is an n-type semiconductor layer comprising primarily silicon.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique qui comprend une couche d’électrode, une première couche semi-conductrice, une seconde couche semi-conductrice, et une couche intermédiaire. La première couche semi-conductrice est disposée sur la couche d’électrode. La première couche semi-conductrice est une couche semi-conductrice de type p ou de type i comprenant principalement un composé de chalcopyrite ou un composé de pérovskite. La seconde couche semi-conductrice est une couche semi-conductrice de type n et est disposée sur la première couche semi-conductrice. La couche intermédiaire est positionnée au niveau de l'interface de la première couche semi-conductrice et de la seconde couche semi-conductrice et est une couche semi-conductrice de type n comprenant principalement du silicium.
(JA) 本発明の一態様に係る光電変換装置は、電極層と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、中間層とを具備する。第1の半導体層は、電極層上に位置している。第1の半導体層は、p型またはi型であり、カルコパイライト系化合物またはペロブスカイト系化合物を主として含んでいる。第2の半導体層は、n型であり、第1の半導体層上に位置している。中間層は、第1の半導体層および第2の半導体層の界面に位置しており、シリコンを主として含むn型の半導体層である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)