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1. (WO2016170998) 電荷輸送性膜の製造方法、電荷輸送性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電荷輸送性膜の電荷輸送性の向上方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/170998    国際出願番号:    PCT/JP2016/061461
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 07.04.2016
IPC:
H05B 33/10 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
出願人: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
発明者: HIGASHI, Masayuki; (JP)
代理人: KURIHARA, Hiroyuki; (JP)
優先権情報:
2015-087910 22.04.2015 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CHARGE-TRANSPORTING FILM, CHARGE-TRANSPORTING FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, AND METHOD FOR IMPROVING CHARGE TRANSPORT PROPERTIES OF CHARGE-TRANSPORTING FILM
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE FILM TRANSPORTEUR DE CHARGE, FILM TRANSPORTEUR DE CHARGE, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, ET PROCÉDÉ POUR L'AMÉLIORATION DES PROPRIÉTÉS DE TRANSPORT DE CHARGE DE FILM TRANSPORTEUR DE CHARGE
(JA) 電荷輸送性膜の製造方法、電荷輸送性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電荷輸送性膜の電荷輸送性の向上方法
要約: front page image
(EN)This method for producing a charge-transporting film having a film-thickness within a range of 50-300 nm comprises a step for applying, onto a substrate, a charge-transporting film forming varnish containing a charge-transporting substance consisting of an N,N'-diarylbenzidine derivative, a dopant substance, and an organic solvent, and a step for baking the resultant coating film at a baking temperature indicated by formula (S1). Baking temperature > [232.5°C + (film-thickness/20 nm) × 5°C] (S1)
(FR)La présente invention concerne un procédé pour la production d'un film transporteur de charge ayant une épaisseur de film comprise entre 50 et 300 nm comprenant une étape pour l'application, sur un substrat, d'un vernis de formation de film transporteur de charge contenant une substance de transport de charge constituée d'un dérivé N,N'-diarylbenzidine, d'une substance dopante, et d'un solvant organique, et une étape pour la cuisson du film de revêtement obtenu à une température de cuisson indiqué par la formule (S1). Température de cuisson > [232,5 °C + (épaisseur de film/20 nm) × 5 °C] (S1)
(JA)50nm~300nmの範囲内の膜厚を有する電荷輸送性膜の製造方法であって、N,N'-ジアリールベンジジン誘導体のみからなる電荷輸送性物質と、ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性膜形成用ワニスを基材上に塗布する工程と、得られた塗膜を下記式(S1)で示される焼成温度で焼成する工程と、を備える。 焼成温度>[232.5℃+(前記膜厚/20nm)×5℃] (S1)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)