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1. WO2016170910 - 電力変換装置

公開番号 WO/2016/170910
公開日 27.10.2016
国際出願番号 PCT/JP2016/059531
国際出願日 25.03.2016
IPC
H02M 7/48 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H02M 7/483 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
483出力として3値以上の異なる電圧レベルをもつことが可能な変換器
CPC
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
H02M 7/483
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
483Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
出願人
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大原 伸也 OOHARA Shinya
  • 加藤 修治 KATOH Shuji
  • 井上 重徳 INOUE Shigenori
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2015-08888624.04.2015JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
要約
(EN)
Provided is a modular multilevel power conversion device that uses press-pack semiconductor elements and that has a parallel element structure of reduced volume. Arranged in parallel on the same plane are a plurality of IGBT stacks, wherein a plurality of press-pack semiconductor elements, metal plates, and insulating plates are press-packed together. The press-pack semiconductor elements constituting the different IGBT stacks are each electrically connected to constitute a plurality of unit power converters wherein the press-pack semiconductor elements are connected in parallel. The unit power converters are connected in cascade to constitute, within the plurality of IGBT stacks, a plurality of unit power converters of the modular multilevel power conversion device.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de conversion de puissance modulaire à niveaux multiples qui utilise des éléments semi-conducteurs tassés par pression et qui a une structure d'éléments parallèles de volume réduit. Plusieurs empilements IGBT sont agencés en parallèle sur le même plan, une pluralité d'éléments semi-conducteurs tassés par pression, des plaques métalliques, et des plaques isolantes étant tassés ensemble par pression. Les éléments semi-conducteurs tassés par pression constituant les différents empilements IGBT sont chacun connectés électriquement de manière à constituer une pluralité de convertisseurs de puissance unitaires, les éléments semi-conducteurs tassés par pression étant connectés en parallèle. Les convertisseurs de puissance unitaires sont connectés en cascade pour constituer, à l'intérieur de la pluralité d'empilements IGBT, une pluralité de convertisseurs de puissance unitaires du dispositif de conversion de puissance modulaire à niveaux multiples.
(JA)
体積を抑えた素子並列構造をもつ圧接型半導体素子を用いたモジュラー・マルチレベレル電力変換装置を提供する。 複数の圧接型半導体素子および金属板,絶縁板を一括で圧接するIGBTスタックを,同一平面内に複数平行に配置する。前記の異なるIGBTスタック間を構成する圧接型半導体素子をそれぞれ電気的に接続することで圧接型半導体素子を並列に接続した単位電力変換器を複数構成する。さらに各々の単位電力変換器をカスケード接続することで,前記複数のIGBTスタック内にモジュラー・マルチレベル電力変換装置の単位電力変換器を複数構成する。
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