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1. (WO2016170622) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/170622    国際出願番号:    PCT/JP2015/062263
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 22.04.2015
IPC:
H03F 1/26 (2006.01), H03F 3/343 (2006.01), H03F 3/68 (2006.01), H03G 3/00 (2006.01), H03M 1/12 (2006.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
発明者: OSAWA Masato; (JP).
HARADA Yasunari; (JP).
KATO Hideki; (JP)
代理人: TANAI Sumio; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device has a first variable gain amplifier, a second variable gain amplifier, a load circuit having a capacitive load, and a selecting switch. The first variable gain amplifier and the second variable gain amplifier constitute a switched-capacitor-type variable gain amplifier. The selecting switch performs connection switching among the first variable gain amplifier, the second variable gain amplifier, and the load circuit such that the first variable gain amplifier and the load circuit are connected to each other in the cases where the amplification factor of the first variable gain amplifier is equal to or smaller than a predetermined gain, and the second variable gain amplifier is connected between the first variable gain amplifier and the load circuit in the cases where the amplification factor of the first variable gain amplifier is larger than the predetermined gain.
(FR)Le dispositif à semi-conducteurs selon la présente invention possède un premier amplificateur à gain variable, un second amplificateur à gain variable, un circuit de charge ayant une charge capacitive et un commutateur de sélection. Le premier amplificateur à gain variable et le second amplificateur à gain variable constituent un amplificateur à gain variable de type condensateur commuté. Le commutateur de sélection effectue une commutation de connexion parmi le premier amplificateur à gain variable, le second amplificateur à gain variable et le circuit de charge de telle sorte que le premier amplificateur à gain variable et le circuit de charge sont connectés l'un à l'autre dans le cas où le facteur d'amplification du premier amplificateur à gain variable est égal ou inférieur à un gain prédéterminé, et le second amplificateur à gain variable est connecté entre le premier amplificateur à gain variable et le circuit de charge dans le cas où le facteur d'amplification du premier amplificateur à gain variable est plus grand que le gain prédéterminé.
(JA)半導体装置は、第1可変ゲインアンプと、第2可変ゲインアンプと、容量性の負荷を有する負荷回路と、選択スイッチと、を有する。前記第1可変ゲインアンプと前記第2可変ゲインアンプとは、スイッチトキャパシタ型の可変ゲインアンプを構成する。前記選択スイッチは、前記第1可変ゲインアンプの増幅率が所定のゲイン以下である場合、前記第1可変ゲインアンプと前記負荷回路とが接続され、前記第1可変ゲインアンプの増幅率が所定のゲインよりも大きい場合、前記第2可変ゲインアンプが前記第1可変ゲインアンプと前記負荷回路との間に接続されるように、前記第1可変ゲインアンプと前記第2可変ゲインアンプと前記負荷回路との接続を切り替える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)