WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2016170579) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/170579    国際出願番号:    PCT/JP2015/062006
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 20.04.2015
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: UENO, Ryuji; (JP).
SUNAMOTO, Masatoshi; (JP)
代理人: TAKADA, Mamoru; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention is characterized by being provided with: a thinning step for forming a wafer having an annular protruding section on an outer peripheral portion of the wafer by grinding a center portion of the rear surface of the wafer, then, performing wet-etching with respect to the rear surface of the wafer; a step for forming a rear surface electrode on the rear surface of the wafer; a plating step for uniformly forming a metal film by plating method on the rear surface electrode on the annular protruding section; an adhering step for adhering a dicing tape to the metal film; and a dicing step for dicing the wafer having the dicing tape adhered thereon.
(FR)La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : une étape d'amincissement consistant à former une tranche présentant une section saillante annulaire sur une partie périphérique extérieure de la tranche par meulage d'une partie centrale de la surface arrière de la tranche, puis à effectuer une gravure humide relativement à la surface arrière de la tranche ; une étape consistant à former une électrode de surface arrière sur la surface arrière de la tranche ; une étape de revêtement consistant à former uniformément un film métallique par un procédé de revêtement sur l'électrode de surface arrière sur la section saillante annulaire ; une étape de collage consistant à faire adhérer une bande de découpage en dés au film métallique ; et une étape de découpage en dés consistant à découper en dés la tranche à laquelle est collée la bande de découpage en dés.
(JA)ウエハの裏面の中央部を研削しその後該ウエハの裏面にウェットエッチングを施すことで、外周部に環状凸部を有するウエハを形成する薄化工程と、該ウエハの裏面に裏面電極を形成する工程と、該環状凸部の上の該裏面電極に、めっき法により一様に金属膜を形成するめっき工程と、該金属膜にダイシングテープを貼り付ける貼付け工程と、該ダイシングテープが貼り付けられた該ウエハをダイシングするダイシング工程と、を備えたことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)