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1. (WO2016170443) 半導体装置および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2016/170443    国際出願番号:    PCT/IB2016/052033
国際公開日: 27.10.2016 国際出願日: 11.04.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
出願人: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
発明者: FUKUTOME, Takahiro; (JP)
優先権情報:
2015-085794 20.04.2015 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子機器
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device with which an aperture ratio is improved. Also provided is a semiconductor device by which power consumption can be reduced. The semiconductor device has first wiring, second wiring, third wiring, a first driver circuit, a second driver circuit, and a cell array, the cell array having a plurality of cells, each of which includes a transistor and a storage capacitor. The first wiring is electrically connected to the first driver circuit, the second wiring is electrically connected to the second driver circuit, the transistor is disposed above the second wiring, the second wiring has a region functioning as a first gate electrode of the transistor in a region overlapping the transistor, the third wiring has a region disposed above the transistor and overlapping the second wiring, and the second wiring is electrically connected to the third wiring in a region outside of the cell array.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel un rapport d'ouverture est amélioré. L'invention concerne également un dispositif à semi-conducteur par lequel la consommation d'énergie peut être réduite. Le dispositif à semi-conducteur présente un premier câblage, un deuxième câblage, un troisième câblage, un premier circuit d'attaque, un second circuit d'attaque, et un réseau de cellules, le réseau de cellules ayant une pluralité de cellules, chacune comprenant un transistor et un condensateur de stockage. Le premier câblage est électriquement connecté au premier circuit d'attaque, le deuxième câblage est électriquement connecté au second circuit d'attaque, le transistor est disposé au-dessus du deuxième câblage, le deuxième câblage a une région fonctionnant en tant que première électrode de grille du transistor dans une région recouvrant le transistor, le troisième câblage a une région disposée au-dessus du transistor et recouvrant le deuxième câblage, et le deuxième câblage est électriquement connecté au troisième câblage dans une région à l'extérieur du réseau de cellules.
(JA)開口率を向上させる半導体装置を提供する。また、消費電力を低減できる半導体装置を提供する。 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第1の駆動回路と、第2の駆動回路と、セルアレイと、 を有し、セルアレイは、トランジスタと、保持容量と、を含むセルを複数有する半導体装置である。 第1の配線は、 第1の駆動回路に電気的に接続され、 第2の配線は、 第2の駆動回路に電気的に接続 され、トランジスタは、第2の配線の上方に配置され、第2の配線は、トランジスタと重なる領域に、 トランジスタの第1のゲート電極として機能する領域を有し、 第3の配線は、 トランジスタの上方に 配置されて第2の配線と重なる領域を有し、 第2の配線が、 セルアレイ以外の領域で第3の配線と電 気的に接続される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)